[发明专利]一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘

说明书

本发明提供一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘，包括：静电吸盘，静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔；传输通道，传输通道与第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由传输通道到达第一贯穿孔；第一冷却装置，第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且被配置为在操作中利用第二物质降低第一物质的温度，第一物质和第二物质的沸点均小于零度，第一物质的沸点小于第二物质的沸点。由于第一冷却装置包括不同于第一物质的第二物质且第一物质的沸点小于第二物质的沸点，能够通过第二物质降低第一物质的温度，进而通过第一物质更好的降低静电吸盘上晶圆的温度，降低由于热应力造成的晶圆弯曲变形，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘。

背景技术

高密度等离子体(high density plasma，HDP)沉积是在同一个反应腔中同步进行沉积和物理轰击，从而实现绝缘介质在沟槽中的向上(bottom-up)生长。由于HDP沉积工艺向上生长的生长机制，使得HDP沉积工艺广泛应用于沟槽填充等。因而如何降低通过沉积工艺沉积的介质材料的应力，提高器件的性能是亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种半导结构处理机台及操作方法、静电吸盘，以降低通过沉积工艺沉积的介质材料的应力，提高器件的性能。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种半导体结构处理机台，包括：

静电吸盘，其中，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；

传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔；

第一冷却装置，其中，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于所述第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度；

其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。

可选的，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。

可选的，所述第一物质为氦气，所述第二物质为液氮。

可选的，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道插入所述第一贯穿孔中且插入深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。

可选的，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。

可选的，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。

可选的，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。

可选的，所述静电吸盘包括：第二冷却装置，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置，其中，所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。

可选的，所述第三物质为液氮。

可选的，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。

可选的，所述环形结构围绕所述第一贯穿孔。

可选的，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。

可选的，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更靠近所述传输通道远离所述第一贯穿孔的一侧。