[发明专利]一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘

权利要求书

1.一种半导体结构处理机台，其特征在于，包括：

静电吸盘，其中，所述静电吸盘包括贯穿所述静电吸盘的第一贯穿孔；

传输通道，其中，所述传输通道与所述第一贯穿孔连通，以允许第一物质在操作中经由所述传输通道到达所述第一贯穿孔；

第一冷却装置，其中，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第一冷却装置包括不同于所述第一物质的第二物质，且被配置为在操作中利用所述第二物质降低所述第一物质的温度；

其中，所述第一物质和所述第二物质的沸点均小于零度，所述第一物质的沸点小于所述第二物质的沸点。

2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第二物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。

3.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述第一物质为氦气，所述第二物质为液氮。

4.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述传输通道的外径小于所述第一贯穿孔的内径，所述传输通道插入所述第一贯穿孔中且插入深度小于或等于所述第一贯穿孔的深度。

5.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，所述传输通道的至少部分位于所述第一冷却装置中，所述第二物质至少部分围绕所述传输通道的位于所述第一冷却装置的部分。

6.根据权利要求5所述的机台，其特征在于，还包括：第一物质提供装置，其中，所述第一物质提供装置与所述传输通道的远离所述第一贯穿孔的一端相连，以在操作中向所述传输通道提供所述第一物质。

7.根据权利要求6所述的机台，其特征在于，所述第一物质提供装置位于所述第一冷却装置中；或者，所述传输通道贯穿所述第一冷却装置。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘包括：第二冷却装置，所述第二冷却装置与第三物质提供装置连通，并允许所述第三物质提供装置提供的第三物质在操作中到达所述第二冷却装置，其中，所述第三物质的沸点位于负300摄氏度到负100摄氏度。

9.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述第三物质为液氮。

10.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述第二冷却装置包括环形结构，所述第三物质在操作中到达所述环形结构。

11.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述环形结构围绕所述第一贯穿孔。

12.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第二冷却装置位于所述第一电隔离层和所述基座之间。

13.根据权利要求12所述的机台，其特征在于，相比于所述第二冷却装置，所述第一电隔离层更靠近所述传输通道远离所述第一贯穿孔的一侧。

14.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述环形结构为环形管。

15.根据权利要求14所述的机台，其特征在于，所述环形管在环形凹槽中。

16.根据权利要求13所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第三冷却装置和第二电隔离层，所述第二电隔离层位于所述基座远离所述第二冷却装置的一侧，所述第三冷却装置位于所述第二电隔离层和所述基座之间。

17.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，所述静电吸盘还包括第一电隔离层、基座，所述第一电隔离层包括环形沟槽，所述环形沟槽复用为所述环形结构。