[发明专利]提高半导体金属封装产品多余物检测合格率的方法

说明书

本申请提供了一种提高半导体金属封装产品多余物检测合格率的方法，包括如下步骤：将有机硅橡胶涂覆到金属封装管帽上；将金属封装管帽依次在80±5℃、120±5℃、150±5℃、180±5℃、220±5℃的温度下进行烘烤；将烘烤完成后的金属封装管帽放置于一恒温环境，并进行密封。通过本申请方案的实施，经过多阶段的高温对有机硅橡胶烘烤过后，使有机硅橡胶中的有毒、有害气体排出，同时保持有机硅橡胶具有一定的粘连度，可以有效粘附封装腔体内微小的多余物，从而提高金属金属封装产品多余物检测的合格率，且本申请的操作方法操作简单，有效性强，可广泛运用于空封器件的封装过程中。

技术领域

本申请涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种提高半导体金属封装产品多余物检测合格率的方法。

背景技术

半导体元件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子元器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓等金属材料，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。

封装金属产品时内部产生多余物是影响空封器件产品成品率、可靠性的关键因素，而目前封装金属产品时，在金属封装结构的管帽内通常采用有机胶材料，使金属封装产品内部的可动多余物变为不可动多余物。但有机硅橡胶的后期释放对空封元器件有毒有害气体(如水汽、氯气等)对空封器件的内部水汽含量、二氧化碳含量可靠性造成影响，降低了金属封装产品内部多余物检测的合格率。

发明内容

本申请实施例提供了一种提高半导体金属封装产品多余物检测合格率的方法，至少能够解决相关技术中金属封装产品内部多余物检测的合格率较低的问题。

本申请实施例提供了一种提高半导体金属封装产品多余物检测合格率的方法，包括如下步骤：

将有机硅橡胶涂覆到金属封装管帽上；

将所述金属封装管帽依次在80±5℃、120±5℃、150±5℃、180±5℃、220±5℃的温度下进行烘烤；

将烘烤完成后的所述金属封装管帽放置于一恒温环境，并进行密封。

进一步地，所述将所述金属封装管帽依次在80±5℃、120±5℃、150±5℃、180±5℃、220±5℃的温度下进行烘烤具体包括：

S1、所述金属封装管帽在80±5℃的温度下烘烤18-40h；

S2、所述金属封装管帽在120±5℃的温度下烘烤18-40h；

S3、所述金属封装管帽在150±5℃的温度下烘烤24-40h；

S4、所述金属封装管帽在180±5℃的温度下烘烤24-40h；

S5、所述金属封装管帽在220±5℃的温度下烘烤12-40h。

进一步地，所述恒温环境为180±5℃的烘箱中。

进一步地，所述有机硅橡胶包括型号为KJR5033、KJR1204-1中的任意一种。

进一步地，所述将有机硅橡胶涂覆到金属封装管帽上之前，还包括：

将所述金属封装管帽在150-170℃的温度下烘4-8h。

进一步地，所述将所述金属封装管帽在150-170℃的温度下烘4-8h之前，还包括：

将所述金属封装管帽进行超声清洗、酒精脱水、烘干。

进一步地，所述超声清洗包括：

将所述金属封装管帽放入去离子水中，并对所述金属封装管帽进行超声清洗，其中所述去离子水的密度大于或等于10MΩ·cm。

进一步地，所述烘干包括：