[发明专利]晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质

说明书

本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。

技术领域

本申请涉及集成电路制造仿真技术领域，特别是涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

随着集成电路制造技术的发展，技术节点越来越小，对光刻层间的套刻要求也越来越严格，而光刻机的对准质量又决定了套刻误差精度。光刻机的对准实际上是将晶圆与光刻机系统坐标系重合，即将掩模与晶圆对准标识(光栅)对准，通过光刻机自参考系统和探测晶圆对准标识的信号，可以确定晶圆对准标识的中心位置，之后可以再通过粗对准和精对准，精确确定晶圆坐标系。在此过程中，对准关键性能指标(Key PerformanceIndicator，KPI，评估光刻机对准质量的参数)决定了对准质量，即对准的精确性和有效性。晶圆的对准标识(包括参考层和前层)经过光刻、蚀刻、化学机械抛光等工艺，使得晶圆表面形成有一定周期的凹槽，该凹槽很容易受到工艺的影响使实际形成的凹槽与理想凹槽之间存在差距，导致探测的信号强度(KPI)不够或不规律，从而使光刻机对准发生拒绝(waferrejection，晶圆拒绝)，严重影响生产效率，甚至影响良率。

目前由于不同对准标识对应的抗工艺波动稳定性不同，通常由光刻工程师通过优选对准标识来改善晶圆对准拒绝。然而，目前可选的对准标识是有限的，通过人工方法来改善晶圆对准拒绝，无法保证可选对准标识针对各个工艺均存在最大的稳定性，虽然可以针对每一个工艺设计对准标识，但是要经过制备掩膜版、测试、验证等一系列环节，存在成本高、效率低的问题。

因此，目前用于改善晶圆对准拒绝的晶圆对准掩膜版制备技术存在效率较低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高效率的晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种晶圆对准掩膜版生成方法，所述方法包括：

获取晶圆对准的标识图形；

将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；

通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；

根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；

若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。

在其中一个实施例中，所述根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标的步骤之后，还包括：

若所述关键性能指标不在所述指标阈值内，则更新所述晶圆对准的标识图形，并返回至所述将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识的步骤。

在其中一个实施例中，所述关键性能指标包括晶圆质量、增量偏移和多重相关系数中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述工艺模型包括沉积模型、光刻模型、蚀刻模型和化学机械抛光模型中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述若所述关键性能指标不在所述指标阈值内，则更新所述晶圆对准的标识图形，包括：

获取关键性能指标和工艺模型；

根据所述关键性能指标和所述工艺模型，更新所述晶圆对准的标识图形。