[发明专利]晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202110672856.3 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113608410A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 李亮;韦亚一;张利斌;王云;薛静 申请(专利权)人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 周清华
地址: 510000 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 对准 掩膜版 生成 方法 装置 计算机 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种晶圆对准掩膜版生成方法,其特征在于,所述方法包括:

获取晶圆对准的标识图形;

将所述标识图形输入至预设的工艺模型,得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识;

通过预设的衍射光强模型,得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强;

根据所述第一衍射光强和第二衍射光强,得到所述晶圆对准的关键性能指标;

若所述关键性能指标在预设的指标阈值内,则生成掩膜版制备指令;所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一衍射光强和第二衍射光强,得到所述晶圆对准的关键性能指标的步骤之后,还包括:

若所述关键性能指标不在所述指标阈值内,则更新所述晶圆对准的标识图形,并返回至所述将所述标识图形输入至预设的工艺模型,得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述关键性能指标包括晶圆质量、增量偏移和多重相关系数中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述工艺模型包括沉积模型、光刻模型、蚀刻模型和化学机械抛光模型中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述若所述关键性能指标不在所述指标阈值内,则更新所述晶圆对准的标识图形,包括:

获取关键性能指标和工艺模型;

根据所述关键性能指标和所述工艺模型,更新所述晶圆对准的标识图形。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述关键性能指标和所述工艺模型,更新所述晶圆对准的标识图形,包括:

当所述关键性能指标低于预设阈值时,检测所述工艺模型,若所述工艺模型为所述化学机械抛光模型或所述蚀刻模型,则通过增加冗余图形或调整占空比来更新所述标识图形,若所述工艺模型为所述光刻模型,则通过细分或切割来更新所述标识图形,若所述工艺模型为所述沉积模型,则通过调整占空比来更新所述标识图形;

或,

当所述关键性能指标低于预设阈值时,通过增加冗余图形、调整占空比、细分和切割中的至少两种,来更新所述标识图形。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过预设的衍射光强模型,得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强,包括:

通过将所述晶圆对准标识输入至所述衍射光强模型,得到所述晶圆对准标识左侧周期光栅的衍射光强和右侧周期光栅的衍射光强;

根据所述左侧周期光栅的衍射光强得到所述第一衍射光强,以及,根据所述右侧周期光栅的衍射光强得到所述第二衍射光强。

8.一种晶圆对准掩膜版生成装置,其特征在于,所述装置包括:

标识图形获取模块,用于获取晶圆对准的标识图形;

工艺模型模块,用于将所述标识图形输入至预设的工艺模型,得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识;

衍射光强模型模块,用于通过预设的衍射光强模型,得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强;

关键性能指标获取模块,用于根据所述第一衍射光强和第二衍射光强,得到所述晶圆对准的关键性能指标;

掩膜版生成模块,用于若所述关键性能指标在预设的指标阈值内,则生成掩膜版制备指令;所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。

9.一种计算机设备,包括存储器和处理器,所述存储器存储有计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

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