[发明专利]一种检测赭曲霉毒素A的电化学发光免疫传感器的制备和应用在审
| 申请号: | 202110672542.3 | 申请日: | 2021-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN113406159A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
| 发明(设计)人: | 曹宏梅;李林芝;李瑞;陈奇;刘星 | 申请(专利权)人: | 海南大学 |
| 主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327;G01N33/53;G01N33/577 |
| 代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 贾波 |
| 地址: | 570228 *** | 国省代码: | 海南;46 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 检测 曲霉 毒素 电化学 发光 免疫 传感器 制备 应用 | ||
1.一种检测赭曲霉毒素A的修饰电极的制备方法,其特征是包括以下步骤:
(1)将蛋壳粉与HAuCl4溶液混合在一起,使蛋壳粉充分吸收金离子;
(2)吸收金离子后的蛋壳粉干燥,焙烧,得到Au/CaCO3纳米颗粒;
(3)将Au/CaCO3纳米颗粒分散到Nafion溶液中,得到悬浮液,将该悬浮液振荡、离心、洗涤,得到Au/CaCO3/Nafion纳米颗粒;
(4) 将Au/CaCO3/Nafion纳米颗粒分散在水中,所得悬浮液滴到电极表面,干燥,得Au/CaCO3/Nafion修饰电极;
(5)将Au/CaCO3/Nafion修饰电极浸入Ru(bpy)32+溶液中,孵育后取出后清洗干燥,得Ru(bpy)32+/Au/CaCO3/Nafion修饰电极;
(6)在Ru(bpy)32+/Au/CaCO3/Nafion修饰电极表面滴加赭曲霉毒素A 纳米抗体Nb28溶液,进行孵育,孵育后清洗,然后将修饰电极与1-1.5 wt%的BSA溶液孵育,孵育后清洗干燥,得检测赭曲霉毒素A的修饰电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(1)中,HAuCl4溶液的浓度为5-15mmol/L,蛋壳粉与HAuCl4溶液的用量关系为:1g:5-10ml;步骤(3)中,Nafion溶液的浓度为2-5wt%,Au/CaCO3纳米颗粒与Nafion溶液的用量关系为1 mg:1-2 mL。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(1)中,将蛋壳粉与HAuCl4溶液在搅拌下混合10-12h,使蛋壳粉充分吸收金离子;步骤(2)中,吸收金离子后的蛋壳粉在500-550℃下煅烧1-2 h。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(4)中,Au/CaCO3/Nafion纳米颗粒在水中的浓度为1-2 mg/mL,将5-10 μL悬浮液滴到电极表面;步骤(5)中,Ru(bpy)32+溶液的浓度为15-25 mmol/L,Au/CaCO3/Nafion修饰电极浸入Ru(bpy)32+溶液中,室温下孵育1-1.5h。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(6)中,赭曲霉毒素A 纳米抗体Nb28的核苷酸序列如SEQ ID NO:1所示。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法,其特征是:步骤(6)中,在Ru(bpy)32+/Au/CaCO3/Nafion修饰电极表面滴加4-5 μL浓度为20-25 μg/mL的赭曲霉毒素A 纳米抗体Nb28溶液,37 ℃孵育4-5 h,孵育后清洗,然后将修饰电极与1-1.5 wt%的BSA溶液在室温下孵育0.5 -1h。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:所述电极为玻碳电极。
8.按照权利要求1-7中任一项所述的检测赭曲霉毒素A的修饰电极的制备方法制得的检测赭曲霉毒素A的修饰电极,以及该修饰电极在检测赭曲霉毒素A中的应用。
9.一种检测赭曲霉毒素A的电化学发光免疫传感器,其特征是:包括工作电极,所述工作电极为权利要求8所述的检测赭曲霉毒素A的修饰电极。
10.一种检测赭曲霉毒素A的方法,其特征是:以权利要求8所述的检测赭曲霉毒素A的修饰电极为工作电极,以铂电极为辅助电极,以甘汞电极作为参比电极,以共反应剂三正丙胺溶液作为检测溶液,通过循环伏安法和电化学发光法共同检测赭曲霉毒素A的含量;优选的,扫描电位为0.2V~1.35V,扫描速率为0.1V/s,三正丙胺溶液的浓度为0.03-0.06 mmol/L。
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