[发明专利]双硅麦封装结构和双硅麦封装结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110669743.8 申请日: 2021-06-17
公开(公告)号: CN113301486B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 张吉钦;何正鸿 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R19/00;H04R31/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 梁晓婷
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 双硅麦 封装 结构 制备 方法
【说明书】:

发明的实施例提供了一种双硅麦封装结构和双硅麦封装结构的制备方法,涉及麦克风封装技术领域,该双硅麦封装结构包括第一线路板、第一硅麦芯片、第一盖板、第二硅麦芯片、第二盖板和第二线路板,通过在第一线路板的两侧分别贴装第一硅麦芯片和第二硅麦芯片,在第二线路板上设置让位凹槽,第一盖板容置在让位凹槽内。相较于现有技术,本发明提供的双硅麦封装结构,能够实现双硅麦封装结构,提升硅麦结构的集成度,同时降低封装尺寸,有利于产品的小型化,并且结构稳定,不易出现焊接失效现象,并且提高了产品的灵敏度及信噪比。

技术领域

本发明涉及麦克风封装技术领域,具体而言,涉及一种双硅麦封装结构和双硅麦封装结构的制备方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展,麦克风在消费领域已经广泛应用于各种电子产品中,其中硅麦克风由于尺寸较小,稳定性强等特点,已经广泛应用在移动终端中。硅麦克风包括MEMS(微机电系统,Micro Electro Mechanical System)芯片,且MEMS芯片包括硅振膜和硅背极板。其中,MEMS芯片的工作原理是利用声音变化产生的压力梯度使硅振膜受声压干扰而产生形变,进而改变硅振膜和硅背极板之间的电容值,从而将声压信号转化为电压信号。

现有硅麦结构集成度较低,只有单颗硅麦结构,同时采用传统的层叠封装技术,使得封装尺寸较大,不利于产品的小型化。此外,在常规结构中,用于构成音腔的金属盖的连接处十分不稳定,在切割时容易因为基板翘曲而导致盖体与基板焊接结构失效。并且常规的硅麦封装结构通常采用单音腔结构,硅麦结构的底部空气空间较小,降低了硅麦克风的灵敏度及信噪比。

发明内容

本发明的目的包括,例如,提供了一种双硅麦封装结构和双硅麦封装结构的制备方法,其能够实现双硅麦封装结构,提升硅麦结构的集成度,同时降低封装尺寸,有利于产品的小型化,并且结构稳定,不易出现焊接失效现象,并且提高了产品的灵敏度及信噪比。

本发明的实施例可以这样实现:

第一方面,本发明提供一种双硅麦封装结构,包括:

设置有第一背音孔和第二背音孔的第一线路板;

贴装在所述第一线路板一侧,并与所述第一背音孔对应设置的第一硅麦芯片;

贴装在所述第一线路板一侧,并盖设在所述第一硅麦芯片外的第一盖板;

贴装在所述第一线路板另一侧,并与所述第二背音孔对应设置的第二硅麦芯片;

贴装在所述第一线路板另一侧,并盖设在所述第二硅麦芯片外的第二盖板;

贴装在所述第一线路板一侧,并设置有让位凹槽的第二线路板;

其中,所述第一硅麦芯片与所述第一线路板电连接,所述第二硅麦芯片与所述第二线路板电连接,所述第一线路板覆盖在所述让位凹槽上,所述第一盖板容置在所述让位凹槽内,并与所述让位凹槽的侧壁间隔设置,所述第二盖板和/或所述第二盖板外的所述第一线路板上还设置有第一进音孔。

在可选的实施方式中,所述第一线路板上设置有第一进音孔,所述第一进音孔位于所述第二盖板外,并位于所述第一盖板内,用于连通外部空间和所述第一盖板的内部空间。

在可选的实施方式中,所述第一线路板上设置有第一进音孔,所述第一进音孔位于所述第一盖板外,并位于所述第二盖板外,所述第一进音孔导通至所述第一盖板和所述让位凹槽的侧壁之间。

在可选的实施方式中,所述第一盖板的侧壁上设置有第二进音孔,所述第二进音孔与所述第一盖板的内部空间连通,并导通至所述第一盖板和所述让位凹槽的侧壁之间。

在可选的实施方式中,所述第一线路板上还设置有第三背音孔,所述第一盖板和所述第二盖板错位设置在所述第一线路板的两侧,所述第三背音孔位于所述第一盖板外,并位于所述第二盖板内,所述第三背音孔连通所述第二盖板的内部空间和所述让位凹槽。

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