[发明专利]一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法及装置

权利要求书

1.一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，该检测方法包括以下步骤：

S1、利用预设的电容测量电路测量被测物质得到真正的测量电容C₀^’，并分析计算得到寄生电容C_P；

S2、通过电容测量电路测量带有易凝结物的被测物质，得到新的测量电容；

S3、将新的测量电容结合寄生电容C_P，得到实测的测量电容；

S4、依据实测的测量电容的变化，分析计算得到易凝结物的质量；

S5、依据加热能量公式分析计算得到所需的加热热量Q，并计算得到融化易凝结物所需的时间t。

2.根据权利要求1所述的一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，所述S1中利用预设的电容测量电路测量被测物质得到真正的测量电容C₀^’，并分析计算得到寄生电容C_P包括以下步骤：

S101、设定内电极的内径为d₁，内电极的外径和绝缘层的内径为d₂，绝缘层的外径和导体套管的内径为d₃，导体套管的外径为d₄，外电极的直径为D；

S102、假设内电极与绝缘层形成的电容为C₁，绝缘层的介电常数为，同轴电容的有效长度为L，计算得到电容C₁，其中，电容C₁的计算公式如下：

；

其中，Ln为自然对数；

S103、依据被测物质的电容介电常数及有效长度L，计算得到电容C₂，其中，电容C₂的计算公式如下：

；

S104、计算得到电容C₁与电容C₂串联后的总电容C₀，其中，总电容C₀的计算公式如下：

；

S105、结合测量电容的寄生电容C_P，计算得到通过电容测量电路所得的测量电容C₀^’，其中，测量电容C₀^’的计算公式如下：

；

S106、推导得到测量电容与被测物质介电常数之间的关系，利用最小二乘法推导得到介电常数的值为0时，测量电容C₀^’的值即为寄生电容C_P。

3.根据权利要求2所述的一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，所述S103中还包括以下步骤：静电平衡时，导体内部电场强度为0，在绝缘层外面增加紧密配合的导体套管，导体套管与内电极和外电极均为绝缘，导体套管把绝缘层外面的电荷转移到导体套管的外表面。

4.根据权利要求3所述的一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，所述S105中结合测量电容的寄生电容C_P，计算得到通过电容测量电路所得的测量电容C₀^’之前还包括以下步骤：假设内部加热芯的寄生电容为C_P，等效电阻为R_P，分析得到对应的等效电路。

5.根据权利要求4所述的一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，所述S2中通过电容测量电路测量带有易凝结物的被测物质，得到新的测量电容包括以下步骤：

S201、设定易凝结物的外径为d^’，易凝结物的介电常数为，计算得到易凝结物形成的电容值，其中，电容值的计算公式如下：

；

S202、计算电容值与电容C₁和电容C₂串联后新的电容，其中，新的电容的计算公式如下：

。

6.根据权利要求5所述的一种用于接触低温易凝结物的电特性检测方法，其特征在于，所述S3中实测的测量电容的计算公式如下：

。