[发明专利]芯片间的导电桥及其制造方法、芯片测试方法

权利要求书

1.一种芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有多个芯片区的衬底，相邻芯片区之间设有划片道，所述划片道中形成有顶面相对所述衬底的上表面凸起的桥面结构，所述桥面结构包括依次堆叠的第一介质层、导电的下极板层和第二介质层，在各个所述芯片区中具有与所述桥面结构一道形成的第一介质层、下极板层、第二介质层，所述桥面结构的顶面的至少一个位置处形成有开口，在所述开口外围的桥面结构的顶面的高度与顶面的宽度之比大于5/4；

在所述桥面结构及其两侧的划片道、芯片区上依次覆盖待刻蚀层和光刻胶层，所述待刻蚀层包括导电的上极板层，且所述待刻蚀层和所述光刻胶层均在所述开口处随形覆盖且所述光刻胶层在所述开口处底部下陷；

图案化所述光刻胶层，图案化后的所述光刻胶层保留有底部下陷的部分，且图案化后的所述光刻胶层定义出需要在各个芯片区和桥面结构顶面上保留下来的上极板层，并暴露出桥面结构的侧壁上的待刻蚀层的表面以及桥面结构两侧的划片道中的待刻蚀层的表面；

以图案化后的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，以在所述划片道中形成导电桥并在各个所述芯片区中形成MEMS麦克风芯片，所述导电桥包括所述桥面结构以及堆叠在所述桥面结构的顶面上的所述待刻蚀层，所述导电桥通过所述上极板层与周围的至少两个所述芯片区中的MEMS麦克风芯片电性相连，且在所述芯片区中，所述下极板层为MEMS麦克风芯片的振膜，所述上极板层为MEMS麦克风芯片的背板；

去除图案化后的所述光刻胶层，并至少去除所述芯片区中的所述下极板层和所述上极板层之间的部分第二介质层，以形成MEMS麦克风芯片的空腔。

2.如权利要求1所述的芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，所述开口包括至少一个沟槽和/或至少一个开孔。

3.如权利要求2所述的芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，在沿所述桥面结构的顶面的长度方向上，所述沟槽仅位于所述划片道内或者延伸到所述划片道两侧的芯片区中，在沿所述桥面结构的顶面的宽度方向上，所述沟槽的宽度小于所述桥面结构的顶面的宽度。

4.如权利要求2所述的芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，在沿所述桥面结构的顶面的高度方向上，所述开口贯穿所述桥面结构中的至少一层，或者，所述开口未贯穿所述桥面结构中的任意一层。

5.如权利要求1-4中任一项所述的芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，通过刻蚀所述桥面结构中的至少一层和/或所述桥面结构底部的所述衬底，以形成所述开口。

6.如权利要求5所述的芯片间的导电桥的制造方法，其特征在于，在形成导电桥之后，还包括：在各个所述芯片区中形成分别与所述下极板层或所述上极板层电性接触的焊盘。

7.一种芯片间的导电桥，其特征在于，所述导电桥形成在一衬底的相邻芯片区之间的划片道中，各个芯片区中形成有MEMS麦克风芯片，且所述导电桥包括：

桥面结构，所述桥面结构的顶面相对所述衬底的上表面凸起，且所述桥面结构包括依次堆叠的第一介质层、导电的下极板层和第二介质层，所述桥面结构的顶面的至少一个位置处形成有开口，在所述开口外围的桥面结构的顶面的高度与顶面的宽度之比大于5/4；

待刻蚀层，随形覆盖在所述桥面结构的顶面上且在所述开口处顶面下陷，所述待刻蚀层还暴露出桥面结构的侧壁以及桥面结构两侧的划片道中的衬底的上表面；

其中，所述待刻蚀层包括导电的上极板层，在各个所述芯片区中具有与所述导电桥一道形成的第一介质层、下极板层、第二介质层和上极板层，所述导电桥通过所述上极板层电性连接所述划片道周围的多个芯片区中的MEMS麦克风芯片，且在所述芯片区中，所述下极板层为MEMS麦克风芯片的振膜，所述上极板层为MEMS麦克风芯片的背板，所述下极板层和所述上极板层之间的第二介质层至少被部分去除而形成MEMS麦克风芯片的空腔。

8.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1-6中任一项所述的芯片间的导电桥的制造方法，在一衬底上形成导电桥以及与所述导电桥电性连接的多个MEMS麦克风芯片；

利用所述导电桥的电传导作用，对与所述导电桥电性连接的多个MEMS麦克风芯片一起进行点测。