[发明专利]静态随机存取存储器单元结构及静态随机存取存储器在审
| 申请号： | 202110668464.X | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113628649A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;张奕涵;叶乐;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C16/34;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 孔垂超 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 结构 | ||
1.一种静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第一反相器的输入端；所述第三NMOS管的源极或漏极与所述第一反相器的输出端相连接；所述第四NMOS管的源极或漏极与所述第二反相器的输出端相连接；所述第五NMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，所述静态随机存取存储器单元结构还包括第六NMOS管；所述第六NMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端相连接；所述第六NMOS管与所述第五NMOS管相连接。
3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，所述第六NMOS管的源极或漏极与所述第五NMOS管的源极或漏极相连接。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，所述第一反相器包括第一PMOS管和第一NMOS管，所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极相连接，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一反相器的输入端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一反相器的输出端。
5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，所述第五NMOS管的阈值电压低于所述第一NMOS管的阈值电压以及所述第三NMOS管的阈值电压。
6.根据权利要求1-3任一项所述的静态随机存取存储器单元结构，其特征在于，所述第二反相器包括第二PMOS管和第二NMOS管，所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连接，所述第二PMOS管的栅极连接所述第二反相器的输入端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二反相器的输出端。
7.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括写字线、写位线、读位线、读字线以及多个如权利要求1-6中任一项所述的静态随机存取存储器单元结构，其中，所述第三NMOS管的栅极以及所述第四NMOS管的栅极分别与所述写字线相连接，所述第五NMOS管的两端分别与所述读位线和所述读字线相连接；所述第三NMOS管的一端与所述写位线相连接。
8.一种存储设备，其特征在于，包括权利要求7所述的静态随机存取存储器。
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