[发明专利]一种Zr-B-O-N薄膜、Cu互连结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110667577.8 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113403597A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 孟瑜;宋忠孝;李雁淮;宋宝睿 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安交通大学苏州研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/58;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zr 薄膜 cu 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Zr-B-O-N薄膜的制备方法，其特征在于：以ZrB2复合靶为靶材，在N2和Ar混合气氛下进行反应磁控溅射，在基底上沉积得到Zr-B-O-N薄膜。
2.根据权利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制备方法，其特征在于：所述N2和Ar的气体流量比为1：(3～5)。
3.根据权利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制备方法，其特征在于：反应磁控溅射采用射频溅射或直流溅射。
4.根据权利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制备方法，其特征在于：基底为硅基底。
5.根据权利要求1所述的Zr-B-O-N薄膜的制备方法，其特征在于：N2和Ar纯度均为99.99％。
6.采用权利要求1-5任一项所述的制备方法得到的Zr-B-O-N薄膜。
7.根据权利要求6所述的Zr-B-O-N薄膜，其特征在于，其厚度为2～10nm。
8.一种Cu互连结构，其特征在于：是在权利要求6或7所述的Zr-B-O-N薄膜上沉积Cu层得到。
9.权利要求8所述的Cu互连结构的制备方法，其特征在于：以Cu靶为靶材，通过磁控溅射方法在Zr-B-O-N薄膜上沉积Cu，然后进行真空退火处理，得到Cu互连结构。
10.根据权利要求9所述的Cu互连结构的制备方法，其特征在于：真空退火处理的温度为500-650℃。
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