[发明专利]提高拣片效率的方法、三维集成芯片的制造方法及芯片在审
申请号: | 202110666484.3 | 申请日: | 2021-06-16 |
公开(公告)号: | CN113410170A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 吴恙;杨帆;胡胜 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68;H01L21/56;H01L21/18 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 效率 方法 三维 集成 芯片 制造 | ||
1.一种提高拣片效率的方法,所述方法包括对由晶圆切割得到的多个芯片执行拣片工序,在所述拣片工序中,获得目标芯片的位置的方法包括:
利用摄像头采集目标芯片和参照物的图像,所述目标芯片朝向所述摄像头的表面覆盖有色调转换层;以及,
根据所述目标芯片和所述参照物的色调差异,确定所述目标芯片的位置,其中,相较于所述目标芯片被所述色调转换层覆盖着的芯片表面,所述色调转换层与所述参照物之间的色调差异更大。
2.如权利要求1所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,所述色调转换层在切割所述晶圆前形成于所述晶圆的相应表面。
3.如权利要求2所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,所述晶圆包括相对的正面和背面,在获得所述多个芯片的切割工序中,从所述晶圆的背面进行切割,并且所述色调转换层覆盖所述晶圆的背面。
4.如权利要求1所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,相对于所述参照物,所述色调转换层朝向所述摄像头的表面为浅色调。
5.如权利要求1所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,所述色调转换层为滤光层或者不透明颜料层。
6.如权利要求1所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,所述晶圆包括被所述色调转换层覆盖着的氮化硅层,所述氮化硅层的厚度大于100μm。
7.如权利要求6所述的提高拣片效率的方法,其特征在于,所述色调转换层为黄色有机滤光层。
8.一种三维集成芯片的制造方法,其特征在于,包括:
利用键合工艺键合第一晶圆和第二晶圆,以得到键合晶圆,所述第一晶圆和第二晶圆的正面相对并键合连接,所述第一晶圆和/或第二晶圆的背面一侧形成有用于改善翘曲程度的翘曲调整层;
在设置所述翘曲调整层的至少一个表面形成色调转换层;
从设置所述色调转换层的一侧执行切割工艺,由所述键合晶圆得到相互分离的多个芯片;以及,
执行拣片工序,其中,从所述多个芯片中获得目标芯片的位置的方法包括:利用摄像头采集目标芯片和参照物的图像,所述目标芯片朝向所述摄像头的表面覆盖有所述色调转换层;根据所述图像中所述目标芯片和所述参照物之间的色调差异,获得所述目标芯片的位置,相较于所述翘曲调整层,所述色调转换层与所述参照物之间的色调差异更大。
9.如权利要求8所述的三维集成芯片的制造方法,其特征在于,所述翘曲调整层为具有拉应力或者压应力的氮化硅层,所述氮化硅层的厚度大于100μm。
10.一种芯片,其特征在于,所述芯片的至少一个表面设置有色调转换层,所述色调转换层用于调整所述芯片被所述色调转换层覆盖着的材料表面的色调,并形成所述芯片相应表面的色调。
11.如权利要求10所述的芯片,其特征在于,所述芯片的背面一侧形成有用于改善翘曲程度的翘曲调整层,所述色调转换层覆盖所述翘曲调整层表面。
12.如权利要求11所述的芯片,其特征在于,所述翘曲调整层为具有张应力或者压应力的氮化硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造