[发明专利]一种SET检测电路、方法和芯片有效

专利信息
申请号: 202110663180.1 申请日: 2021-06-15
公开(公告)号: CN113422603B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 史柱;赵雁鹏;杨博;王斌;蒋轶虎;刘文平 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H03L7/08 分类号: H03L7/08
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 set 检测 电路 方法 芯片
【说明书】:

发明公开了一种SET检测电路、方法和芯片,锁定检测模块输入端分别连接有clk0和clk360,锁定检测模块输出端连接有lock_l0;差分时钟判决电路的反相器和传输门的输入端分别连接有两个差分信号,两个差分信号为一对互补的差分信号,反相器和传输门的输出端连接异或门输入端,异或门输出端连接触发器的d端口;触发器的ck端口连接有clk0;触发器的rstb端口连接锁定检测模块输出端;触发器的q端口与与非门第一输入端连接,与非门的第二输入端连接有tie_high,与非门的输出端连接有lock_l1。既保留了常态电路中的锁定检测功能,还能够检测压控延迟线中出现的两种特殊的SET响应。

技术领域

本发明属于抗辐射加固领域,涉及一种SET检测电路、方法和芯片。

背景技术

延迟锁相环(Delay locked loop,DLL)是锁相环(Phase locked loop,PLL)中的一类,广泛运用于微处理器、存储器接口、通信芯片上的时钟分布网络中。DLL是为了时钟分布和数据同步的应用特殊设计的,在这些应用中不需要进行倍频和时钟综合,因此,DLL由于更好的稳定性和更低的抖动而比PLL更受青睐。其主要由鉴相器,电荷泵,低通滤波器和压控延迟线几个模块组成,鉴相器通过比较输入参考时钟和压控延迟线产生的反馈时钟的相位差,产生不断调节的开关信号,以此控制电荷泵的充放电,调节输出控制电压,该电压经过低通滤波器滤波之后形成稳定的控制信号,进而调整压控延迟线的延时,最终达到锁定状态。

单粒子瞬态(Single event transient,SET)指的是高能粒子入射集成电路中的敏感节点时,产生大量的自由载流子通过漂移和扩散,引起的节点电压的扰动。随着集成电路加工尺寸的不断降低,电路工作频率的不断提高,SET对面向航天应用的集成电路影响愈发受到关注。尤其是在DLL这样的模拟集成电路中,SET引起的响应将更加复杂。虽然目前的抗辐射加固技术已经从器件到系统层面发展得比较成熟,但是当入射粒子的能量达到一定值之后,仍然会不可避免的引起SET的出现。如果SET出现在存储器接口中的DLL模块而未被检测出来,那么一定会造成数据传输的错误。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种SET检测电路、方法和芯片,既保留了常态电路中的锁定检测功能,还能够检测压控延迟线中出现的两种特殊的SET响应。

为达到上述目的,本发明采用以下技术方案予以实现:

一种SET检测电路,包括锁定检测模块和差分时钟判决电路;

锁定检测模块输入端分别连接有clk0和clk360,锁定检测模块输出端连接有lock_l0;

差分时钟判决电路包括第一反相器、传输门、异或门、第一触发器和第一与非门,第一反相器和传输门的输入端分别连接有两个差分信号,两个差分信号为一对互补的差分信号,反相器和传输门的输出端连接异或门输入端,异或门输出端连接第一触发器的d端口;第一触发器的ck端口连接有clk0;第一触发器的rstb端口连接锁定检测模块输出端;第一触发器的q端口与第一与非门第一输入端连接,第一与非门的第二输入端连接有tie_high,第一与非门的输出端连接有lock_l1。

优选的,锁定检测模块包括第二缓冲器、第三缓冲器、第二触发器、第三触发器、第二与非门、第二反相器和第三与非门;

clk0分为两路,一路和第三触发器的d端口连接,另一路通过第二缓冲器与第二触发器的ck端口连接;clk360分为两路,一路和第二触发器的d端口连接,另一路通过第三缓冲器与第三触发器的ck端口连接;第二触发器和第三触发器的rstb端口均连接有rstb,第二触发器和第三触发器的q端口分别连接第二与非门的两个输入端;第二与非门的输出端与第二反相器的输入端连接,第二反相器的输出端与第三与非门的其中一个输入端连接,第三与非门的另一个输入端连接有lock_en,第三与非门的输出端与lock_l0连接。

优选的,异或门输出端和第一触发器的d端口之间连接有第一缓冲器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所,未经西安微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110663180.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top