[发明专利]对准标记结构

说明书

本发明提供一种对准标记结构，包括基底、透光层与反射层。透光层设置在基底上。反射层覆盖透光层的整个顶面。反射层具有凹部。上述对准标记结构可防止干扰信号产生。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种对准标记结构。

背景技术

在半导体工艺中，会使用对准标记(alignment mark)来协助工艺顺利进行。目前，发展出一种对准标记结构，其包括基底与位于基底上的透光层，且透光层具有对准图案(alignment pattern)。在使用上述对准标记结构进行对准时，光线会照射透光层而产生反射光，因此可获得对准信号。然而，当光线穿过透光层而照射基底时，会产生来自基底的反射光，因基底的反射率及透光层的折射率的影响，使得来自基底的反射光与来自透光层的反射光产生非预期的波程差，形成干扰信号(interference signal)，进而导致对准的准确度降低。

发明内容

本发明提供一种对准标记结构，其可防止干扰信号产生。

本发明提出一种对准标记结构，包括基底、透光层与反射层。透光层设置在基底上。反射层覆盖透光层的整个顶面。反射层具有凹部。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，透光层可具有凹槽。凹部可对准凹槽。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，还包括介电层。介电层设置在反射层与透光层之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，介电层可设置在凹部外的反射层与透光层之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，反射层可具有凹槽。凹部可对准凹槽。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，反射层可为单层结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，反射层可为多层结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，反射层可包括第一反射层与第二反射层。第一反射层覆盖透光层的整个顶面。第二反射层设置在第一反射层上，且具有暴露出第一反射层的开口。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，凹部可对准开口。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，透光层的材料例如是氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铟镓等宽带隙半导体。

依照本发明的一实施例所述，在上述对准标记结构中，反射层的材料例如是金属材料或其他高反射率材料。

基于上述，在本发明所提出的对准标记结构中，反射层覆盖透光层的整个顶面，且反射层具有作为对准图案的凹部。在进行对准时，光线会照射反射层而产生反射光，因此可获得对准信号。此外，在进行对准时，反射层可阻挡光线进入透光层，以防止光线照射基底。因此，可避免产生来自基底的反射光，进而防止干扰信号产生，以提升对准的准确度。另外，由于反射层可具有高反射率，因此可提升对准信号的强度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的对准标记结构的剖面图；

图2为本发明另一实施例的对准标记结构的剖面图；

图3为本发明另一实施例的对准标记结构的剖面图。

附图标号：

10,20,30:对准标记结构

100,200,300:基底

102,202,302:透光层