[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片

说明书

本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片。该制造方法包括：形成初始太阳能电池片，初始太阳能电池片具有切割区，形成初始太阳能电池片的步骤包括：在半导体衬底层的一侧形成第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层背向半导体衬底层的一侧形成第一透明导电层；在切割区的第一透明导电层中形成第一切割槽，第一切割槽的底部暴露第一导电类型半导体层；之后，沿着切割区切割初始太阳能电池片，第一切割槽的宽度大于沿着切割区切割初始太阳能电池片的步骤中对初始太阳能电池片的切割宽度。该方法可有效避免因切割造成的光电转化效率降低。

技术领域

本发明涉及太阳能电池片切割技术，具体涉及一种异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片。

背景技术

太阳能电池具有清洁无污染、可再生、工作性能稳定等优点。太阳能电池也称光伏电池，其利用半导体界面的光生伏特效应，将太阳光的能量直接转换为电能。在转换过程中，通过吸收光产生电子空穴对，电子空穴对分离或扩散，实现发电电流的传输。根据结构和制备工艺的工艺不同，太阳能电池划分为不同的类型。以晶硅为基底的太阳能电池，在基底的一侧或两侧制备半导体层、电极形成电池片，接着将多个电池片进行焊接以进行串联或并联，然后封装形成组件，组件发电后通过逆变器回馈电网。

太阳能电池根据所用材料的不同可以分为：晶体硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、硅基薄膜太阳能电池、有机太阳能电池，其中晶体硅太阳能电池是发展最成熟的，在应用中居主导地位。晶体硅太阳能电池包括多晶硅BSF太阳能电池、单晶硅PERC太阳能电池、硅异质结太阳能电池等。

在晶体硅太阳能电池领域，太阳能电池半片技术是降低组件封装损失、提高组件功率的有效途径。半片技术，即将标准规格电池片切割成相同的两个半片电池片后再进行焊接串联。切割异质结太阳能电池片之后，通常会在P型层一侧残留因切割引起的透明导电层或硅衬底的碎片，该些碎片附于切割形成的表面上会导致P型层与N型衬底导通，造成电池片光电转化效率的降低。

发明内容

因此本发明提供一种异质结太阳能电池片制造方法及异质结太阳能电池片，以解决切割后的异质结太阳能电池片电池片效率降低的问题。

本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法，包括：形成初始太阳能电池片，所述初始太阳能电池片具有切割区，所述形成初始太阳能电池片的步骤包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的一侧形成第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底层的导电类型相反；在所述第一导电类型半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电层；在所述切割区的所述第一透明导电层中形成贯穿所述第一透明导电层的厚度的第一切割槽，所述第一切割槽的底部暴露所述第一导电类型半导体层；形成第一切割槽之后，沿着所述切割区切割所述初始太阳能电池片，所述第一切割槽的宽度大于沿着所述切割区切割所述初始太阳能电池片的步骤中对初始太阳能电池片的切割宽度。

可选的，形成所述第一切割槽的步骤包括：采用第一激光切割工艺，沿着所述切割区对所述第一透明导电层进行切割。

可选的，所述第一切割槽的宽度为0.5mm-2mm。

可选的，所述第一激光切割工艺采用的激光波长为220nm-300nm。

可选的，所述第一激光切割工艺采用的激光波长为266nm。

可选的，所述第一激光切割工艺采用的激光功率为2W-20W。

可选的，所述第一激光切割工艺的激光沿着切割区的扫描速度为100mm/s-600mm/s。