[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，包括：形成初始太阳能电池片，所述初始太阳能电池片具有切割区，所述形成初始太阳能电池片的步骤包括：

提供半导体衬底层；

在所述半导体衬底层的一侧形成第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底层的导电类型相反；

在所述第一导电类型半导体层背向所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电层；

在所述切割区的所述第一透明导电层中形成贯穿所述第一透明导电层的厚度的第一切割槽，所述第一切割槽的底部暴露所述第一导电类型半导体层；

形成所述第一切割槽之后，沿着所述切割区切割所述初始太阳能电池片，所述第一切割槽的宽度大于沿着所述切割区切割所述初始太阳能电池片的步骤中对所述初始太阳能电池片的切割宽度。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

形成所述第一切割槽的步骤包括：采用第一激光切割工艺，沿着所述切割区对所述第一透明导电层进行切割。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度为0.5mm-2mm。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第一激光切割工艺采用的激光波长为220nm-300nm。

5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第一激光切割工艺采用的激光波长为266nm。

6.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第一激光切割工艺采用的激光功率为2W-20W。

7.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第一激光切割工艺的激光沿着切割区的扫描速度为100mm/s-600mm/s。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，所述切割区包括沿第一方向排布的第一边缘切割区、中心切割区和第二边缘切割区，所述第一边缘切割区和第二边缘切割区位于所述中心切割区的两侧，第一方向平行于所述初始太阳能电池片的正面和背面；

沿着所述切割区切割所述初始太阳能电池片的步骤包括：在所述第一边缘切割区中形成第二切割槽，在所述第二边缘切割区中形成第三切割槽；所述第一切割槽的宽度大于所述第二切割槽的宽度；所述第一切割槽的宽度大于所述第三切割槽的宽度；

形成所述第二切割槽和所述第三切割槽之后，沿所述切割区对所述初始太阳能电池片进行第四激光切割工艺，使所述初始太阳能电池片沿所述切割区裂开。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第二切割槽的深度为所述初始太阳能电池片的厚度的1/3。

10.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第三切割槽的深度为所述初始太阳能电池片的厚度的1/3。

11.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第二切割槽的长度为200μm-1000μm，所述第二切割槽的宽度为20μm-60μm，所述第二切割槽的深度为20μm-80μm。

12.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池片的制造方法，其特征在于，

所述第三切割槽的长度为200μm-1000μm，所述第三切割槽的宽度为20μm-60μm，所述第三切割槽的深度为20μm-80μm。