[发明专利]极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法

说明书

在一些实施例中，一种极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法，形成极紫外线(EUV)遮罩的方法包含形成多层Mo/Si叠层，此多层Mo/Si叠层包括在遮罩基材之上交替堆叠的Mo层及Si层；在多层Mo/Si叠层之上形成钌覆盖层；采用卤素元素、五价元素、六价元素、或其等的组合掺杂钌覆盖层；在钌覆盖层之上形成吸收层；蚀刻吸收层以在吸收层中形成图案。

技术领域

本揭露是有关于一种极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路系统(semiconductor integrated circuit；IC)产业已经历快速的成长。在集成电路材料及设计方面的技术进步已产生数代集成电路，其中每一代均比前一代具有更小、更复杂的电路。在IC演进的过程中，已总体上增加功能密度(即，每个晶片面积的互连接元件的数量)，而减小几何大小(即，使用生产制程可创建的最小组件(或线路))。此种按比例缩小的制程总体上可通过增加生产效率及减低关联的成本，以提供效益。然而，这些按比例缩小亦已增加处理及制造IC的复杂性且，为了实现这些演进，需要在IC处理及制造方面进行类似的开发。

发明内容

在一些实施例中，一种形成极紫外线(EUV)遮罩的方法包括以下步骤。在遮罩基材之上形成包括交替堆叠的Mo层及Si层的多层Mo/Si堆叠。在多层Mo/Si堆叠之上形成钌覆盖层。采用卤素元素、五价元素、六价元素或以上的组合，掺杂钌覆盖层。在钌覆盖层之上形成吸收层。蚀刻吸收层以在吸收层中形成图案。

在一些实施例中，一种极紫外线微影(EUVL)方法，包含开启液滴生成器，以将金属液滴朝着收集器前面的激发区喷射；开启激光源以将激光朝向激发区域发射，使得金属液滴通过激光所加热以生成EUV辐射；通过使用一个或更多个第一光学器件，将EUV辐射朝向曝光装置中的反射遮罩引导，反射遮罩包括覆盖层，覆盖层具有带配体的钌配合物，配体具有卤素元素、五价元素、六价元素、或其等的组合；及通过使用一个或更多个第二光学器件，将EUV辐射从反射遮罩反射，朝向曝光装置中的经光阻剂涂覆基材引导。

在一些实施例中，极紫外线(EUV)遮罩包含多层Mo/Si堆叠、覆盖层、及图案化吸收层。多层Mo/Si堆叠包含设置在遮罩基材之上的交替堆叠的Mo层及Si层。覆盖层在多层Mo/Si堆叠上。覆盖层的顶部部分具有第一组合物，第一组合物与在覆盖层的顶部部分之下的覆盖层的底部部分的第二组合物不同。图案化吸收层在覆盖层上。

附图说明

当与随附图示一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此产业中的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1为根据本揭露内容的一些实施例的具有从激光产生的电浆的EUV辐射源的EUV微影工具的示意图；

图2为根据本揭露内容的实施例的极紫外线微影工具的细节的简化示意简图，图示采用EUV光的图案化光束对经光阻剂涂覆基材的曝光；

图3A、图3B、图3C、及图3D为根据一些实施例的用于形成极紫外线(EUV)遮罩的制程的各种阶段的截面视图；

图4A为根据一些实施例的在EUV辐射的曝光下的极紫外线(EUV)遮罩的截面视图；

图4B为例示来自在EUV遮罩上的气态有机化合物沉积物的烃的机制的简图；

图5A、图5B、及图5C为根据一些实施例的用于形成极紫外线(EUV)遮罩的制程的各种阶段的截面视图；

图6为根据一些实施例的用于形成极紫外线(EUV)遮罩的制程的各种阶段的截面视图；

图7A图示例示制造EUV遮罩的方法的流程图，此EUV遮罩用于根据本揭露内容的实施例的半导体制造操作；