[发明专利]极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法

权利要求书

1.一种形成极紫外线(EUV)遮罩的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一遮罩基材之上形成包括交替堆叠的Mo层及Si层的一多层Mo/Si堆叠；

在该多层Mo/Si堆叠之上形成一钌覆盖层；

采用一卤素元素、一五价元素、一六价元素或以上的组合，掺杂该钌覆盖层；

在该钌覆盖层之上形成一吸收层；及

蚀刻该吸收层以在该吸收层中形成一图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该掺杂钌覆盖层的步骤为在形成该吸收剂层的步骤之前所进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该掺杂钌覆盖层的步骤为在蚀刻该吸收剂层的步骤之后所进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该掺杂钌覆盖层的步骤为与蚀刻该吸收剂层的步骤所原位进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在完成掺杂该钌覆盖层的步骤之后，该钌覆盖层的一底部部分大致地保持未掺杂。

6.一种极紫外线微影(EUVL)方法，其特征在于，包括以下步骤：

开启一液滴生成器，以将一金属液滴朝着一收集器前面的一激发区喷射；

开启一激光源，以将一激光朝向该激发区域发射，使得该金属液滴通过该激光所加热以生成EUV辐射；

通过使用一个或更多个第一光学器件，将该EUV辐射朝向一曝光装置中的一反射遮罩引导，该反射遮罩包括一覆盖层，该覆盖层具有带一配体的钌配合物，该配体具有一卤素元素、一五价元素、一六价元素、或其等的组合；及

通过使用一个或更多个第二光学器件，将该EUV辐射从该反射遮罩反射，朝向该曝光装置中的一经光阻剂涂覆基材引导。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中在生成该EUV辐射期间，该反射遮罩的该覆盖层并未与该曝光装置中的一含烃气体交联。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该含烃气体进一步存在于该收集器所位于的一腔室中。

9.一种极紫外线(EUV)遮罩，其特征在于，包括：

一多层Mo/Si堆叠，包括设置在一遮罩基材之上的交替堆叠的Mo及Si层；

在该多层Mo/Si堆叠上的一覆盖层，其中该覆盖层的一顶部部分具有一第一组合物，该第一组合物与在该覆盖层的一顶部部分之下的该覆盖层的一底部部分的一第二组合物不同；及

在该覆盖层上的一经构图吸收剂层。

10.根据权利要求9所述的极紫外线遮罩，其特征在于，其中该覆盖层的该顶部部分的该第一组合物包括带一配体的钌配合物，该钌配合物与具有一卤素元素、一五价元素、一六价元素、或其等的组合。