[发明专利]一种晶片清洗方法及系统

说明书

本发明公布了一种晶片清洗方法及系统，属于晶片清洗领域，包括以下步骤：A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，D、纯水超音，E、高温除菌，F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，通过冲洗的方式对晶片清洗，可以减少水的使用，并且通过冲击式的水流对晶片进行冲洗时，能够使晶片表面残留的药液和微尘、污渍去除的更加干净，对晶片进行烘烤的时候，通过自转的方式使晶片在经过加热区域的时候能够受热均匀，从而能够使晶片在不同的区域呈现出不同的运动状态，以适应在烘烤时的温度的不均匀性。

技术领域

本发明属于晶片清洗领域，具体为一种晶片清洗方法及系统。

背景技术

晶片在加工的过程中，需要保持晶片表面较高的洁净度，因此在加工时需要对晶片首先进行清洗，以去除掉晶片表面的微尘污渍等，目前对晶片清洗时，由于设备和工艺的差异，非常容易导致晶片表面的污渍难以去除，经过药剂浸泡后的晶片的表面的药剂残留量较多，仅仅是通过传统的超声清洗的方式，不仅耗费的水多，而且需要多次的进行清洗，耗费的时间长，在清洗完成之后，对晶片进行烘干时，由于烘箱内加热的位置不均匀，容易导致晶片在烘干时受热不均。

发明内容

本发明的目的是针对以上问题，提供一种晶片清洗方法及系统，去除晶片清洗时残留的药液和微尘，方便清洗，提高烘烤效果。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：一种晶片清洗方法，包括以下步骤：

A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；药液配比2％-4％；清洗温度：45℃-55℃；时间：12-15min；

B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，去除掉晶片表面的药液和残存的微尘、污渍，冲洗时间：30s以上；

C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，时间：12-16min；

D、纯水超音：使用纯水进行超声波清洗，温度：50℃-70℃；时间：12-16min；

E、高温除菌：时间12-16min；

F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，烘烤温度140℃-160℃；烘烤时间：60min以上。

进一步的，包括箱体，所述箱体内放置篮筐，清洗的晶片放置于所述篮筐内，所述篮筐内部空心，且其侧边部分设置有若干个出水管，出水管上设置若干个雾化喷头，所述箱体内转动设置对晶片进行冲洗的清洗部，所述清洗部和所述出水管分别连接水源，连接水源的管道上设置控制管道通断的控制机构。

进一步的，所述篮筐上设置有将晶片夹具托起的托板，所述托板上设置将所述晶片夹具夹紧的压板，所述出水管穿过所述晶片夹具之间的间隙，且所述雾化喷头朝向所述晶片夹具设置，所述出水管内滑动设置滑移管道，所述滑移管道上设置可与所述雾化喷头相连通的通孔，所述滑移管道向所述出水管的一侧延伸并贯穿所述篮筐，所述滑移管道上连接驱动其运动的驱动组件。

进一步的，所述箱体的顶面铰接设置盖板，所述篮筐的顶部铰接设置压杆，所述压杆端部与所述盖板相接触，所述压杆上设置将所述压板的表面压住的压块。

进一步的，包括烘烤箱体，所述烘烤箱体的内腔内设置带动晶片位置进行变化的变换机构，所述烘烤箱体的内腔内设置有加热组件，所述烘烤箱体的底面上滑动设置滑移台，所述变换机构转动设置在所述滑移台上，所述变换机构上设置有中心轴，所述中心轴连接气源并向所述烘烤箱体的内腔内通入气体。

进一步的，所述加热组件包括固定设置于所述烘烤箱体的内腔内的加热箱，所述加热箱内设置加热管。