[发明专利]一种晶片清洗方法及系统

权利要求书

1.一种晶片清洗方法，包括以下步骤：

A、药液清洗：使用清洗药液对晶片进行超声清洗，去除晶片表面的微尘和污渍；药液配比2%-4%；清洗温度：45℃-55℃；时间：12-15min；

B、纯水冲洗：使用晶片专用的冲洗设备对晶片的表面进行冲洗，去除掉晶片表面的药液和残存的微尘、污渍，冲洗时间：30s以上；

C、腔体清洁：清除晶片表面的药水，时间：12-16min；

D、纯水超音：使用纯水进行超声波清洗，温度：50℃-70℃；时间：12-16min；

E、高温除菌：时间12-16min；

F、晶片烘烤：使用烘烤设备对晶片进行烘烤，烘烤温度140℃-160℃；烘烤时间：60min以上；

其中：烘烤设备包括烘烤箱体（19），所述烘烤箱体（19）的内腔内设置带动晶片位置进行变化的变换机构，所述烘烤箱体（19）的内腔内设置有加热组件，所述烘烤箱体（19）的底面上滑动设置滑移台（21），所述变换机构转动设置在所述滑移台（21）上，所述变换机构上设置有中心轴（22），所述中心轴（22）连接气源并向所述烘烤箱体（19）的内腔内通入气体；

所述加热组件包括固定设置于所述烘烤箱体（19）的内腔内的加热箱（23），所述加热箱（23）内设置加热管；

所述变换机构包括转台（20），所述转台（20）连接驱动源，所述转台（20）上固定设置封闭箱（24）和扰流板（25），所述扰流板（25）和所述中心轴（22）的出气口设置于所述封闭箱（24）内，所述转台（20）上转动设置若干个放置晶片夹具（13）的安装板（26），所述封闭箱（24）上设置数量以及位置和所述安装板（26）相对应的出气口。

2.根据权利要求1所述的一种晶片清洗方法，其特征在于：所述安装板（26）的转轴上固定设置摩擦轮（27），所述烘烤箱体（19）的底面上滑动设置移动座（28），所述移动座（28）上弹性的浮动设置弧形摩擦条（29）；在所述转台（20）的转动下，所述摩擦轮（27）与所述弧形摩擦条（29）接触后自转。

3.根据权利要求1所述的一种晶片清洗方法，其特征在于：所述烘烤箱体（19）上铰接设置封闭门（30），所述封闭门（30）上铰接设置第一连杆（31），所述第一连杆（31）与所述滑移台（21）之间铰接设置第二连杆（32），所述滑移台（21）与所述烘烤箱体（19）之间设置有复位组件，所述复位组件在所述封闭门（30）关闭之后将所述滑移台（21）拉到烘烤时的位置。

4.一种用于权利要求1所述晶片清洗方法的冲洗设备，其特征在于：包括箱体（10），所述箱体（10）内放置篮筐（11），清洗的晶片放置于所述篮筐（11）内，所述篮筐（11）内部空心，且其侧边部分设置有若干个出水管（16），出水管（16）上设置若干个雾化喷头（17），所述箱体（10）内转动设置对晶片进行冲洗的清洗部（12），所述清洗部（12）和所述出水管（16）分别连接水源，连接水源的管道上设置控制管道通断的控制机构。

5.根据权利要求4所述的冲洗设备，其特征在于：所述篮筐（11）上设置有将晶片夹具（13）托起的托板（14），所述托板（14）上设置将所述晶片夹具（13）夹紧的压板（15），所述出水管（16）穿过所述晶片夹具（13）之间的间隙，且所述雾化喷头（17）朝向所述晶片夹具（13）设置，所述出水管（16）内滑动设置滑移管道（18），所述滑移管道（18）上设置可与所述雾化喷头（17）相连通的通孔，所述滑移管道（18）向所述出水管（16）的一侧延伸并贯穿所述篮筐（11），所述滑移管道（18）上连接驱动其运动的驱动组件。

6.根据权利要求5所述的冲洗设备，其特征在于：所述箱体（10）的顶面铰接设置盖板（35），所述篮筐（11）的顶部铰接设置压杆（36），所述压杆（36）端部与所述盖板（35）相接触，所述压杆（36）上设置将所述压板（15）的表面压住的压块。