[发明专利]半导体结构

说明书

本案描述的一些实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括一电容器元件，此电容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面。半导体结构包括设置在电容器元件下方且在凹入部分内的介电材料。半导体结构包括邻近凹入部分的侧壁中的一或多者的第一导电结构。第一导电结构可包括基板的导电部分或设置在凹入部分内的导电材料。半导体结构包括耦接至第一导电结构的第二导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。

技术领域

本揭示内容的一些实施方式关于半导体结构。

背景技术

一种电容器元件可用以生成跨设置在电极之间的介电结构的电场。电容器元件可基于电场的生成，及基于阻止或几乎阻止电流在电极之间流动的介电质，而在电容器元件的电极之间储存电能。电容器元件可用于半导体结构中以储存电能，形成随机存取记忆体(例如，动态随机存取记忆体)，稳定功率流动，及/或将电路调谐至特定频率，等等。

发明内容

本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包括：半导体结构的基板、介电材料、电容器元件以及导电结构。基板包括凹入部分以及导电部分，凹入部分具有多个侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面，导电部分设置在凹入部分周围；介电材料，设置在基板的导电部分上且在凹入部分内；电容器元件，设置在凹入部分内的介电材料上；以及导电结构，耦接至基板的导电部分，其中导电结构提供从基板的导电部分至电压源极或电压漏极的电连接。

本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包括第一导电结构、介电材料、电容器元件以及第二导电结构。第一导电结构，设置在半导体结构的基板的凹入部分内，凹入部分具有多个侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面；介电材料，设置在凹入部分内的第一导电结构上；电容器元件，设置在凹入部分内的介电材料上；以及第二导电结构，耦接至第一导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。

本揭示内容的一些实施方式提供一种半导体结构，包括电容器元件、第一导电结构、以及第二导电结构。电容器元件，在基板的凹入部分内，凹入部分具有多个侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面；介电材料，设置在电容器元件下方及凹入部分内；第一导电结构，邻近于凹入部分的此些侧壁中的一或多者；以及第二导电结构，耦接至第一导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业标准实践，各种特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1为可实施本文描述的系统及/或方法的实例环境示意图；

图2为本文描述的实例半导体结构示意图；

图3A至图3J为本文描述的实例实施示意图；

图4A及图4B为本文描述的实例半导体结构示意图；

图5A至图5F为本文描述的实例实施示意图；

图6为图1的一或多个元件的实例部件示意图；

图7为关于形成一种半导体结构的实例制程的流程图。

【符号说明】

100:环境

102:沉积工具

104:蚀刻工具

106:平坦化工具

108:离子植入工具

110:晶圆/晶粒输送工具

200:半导体结构

202:基板

204:凹入部分