[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

该半导体结构的一基板，该基板包括：

一凹入部分，具有多个侧壁及位于该基板的一顶表面下方的一底表面，及

一导电部分，设置在该凹入部分周围；

一介电材料，设置在该基板的该导电部分上且在该凹入部分内；

一电容器元件，设置在该凹入部分内的该介电材料上；以及

一导电结构，耦接至该基板的该导电部分，

其中该导电结构提供从该基板的该导电部分至一电压源极或一电压漏极的一电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基板的该导电部分直接接触该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者，或

其中该基板的该导电部分直接接触该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者及该凹入部分的该底表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：

一附加导电结构，耦接至该基板的该导电部分，

其中该导电结构在一第一横向方向上从该电容器元件横向位移，及

其中该附加导电结构在一第二横向方向上从该电容器元件横向位移，其中该电容器元件大体位于该导电结构与该附加导电结构之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该电压源极的一电压为基于施加至该电容器元件的一底电极的一电压。

5.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一第一导电结构，设置在该半导体结构的一基板的一凹入部分内，该凹入部分具有多个侧壁及位于该基板的一顶表面下方的一底表面；

一介电材料，设置在该凹入部分内的该第一导电结构上；

一电容器元件，设置在该凹入部分内的该介电材料上；以及

一第二导电结构，耦接至该第一导电结构，

其中该第二导电结构提供从该第一导电结构至一电压源极或一电压漏极的一电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：

一附加介电材料，设置在该第一半导体结构与该基板之间。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第一导电结构沿该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者延伸，或

其中该第一导电结构沿该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者及沿该凹入部分的该底表面延伸。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该电压源极的一电压的值不同于施加至该电容器元件的一第一组电极的一第一电压的一值及施加至该电容器元件的一第二组电极的一第二电压的一值。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一电容器元件，在一基板的一凹入部分内，该凹入部分具有多个侧壁及位于该基板的一顶表面下方的一底表面；

一介电材料，设置在该电容器元件下方及该凹入部分内；

一第一导电结构，邻近于该凹入部分的所述多个侧壁中的一或多者；以及

一第二导电结构，耦接至该第一导电结构，

其中该第二导电结构提供从该第一导电结构至一电压源极或一电压漏极的一电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括：

一氧化物基衬垫，设置在该第一半导体结构与该电容器元件之间。