[发明专利]半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液

说明书

本发明提供一种能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法中，蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使蚀刻液在流动的同时接触半导体基板、或者使半导体基板在移动的同时接触蚀刻液。

技术领域

本发明涉及一种半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。

背景技术

在制造SiC基板等半导体基板(晶圆)时，期望通过去除机械研磨、磨削等机械加工工序中产生的残留裂纹层、加工应变层等加工损伤层，防止所制造的半导体基板的加工瑕疵的残留或产生等来制成平滑的半导体基板。

作为去除SiC基板的加工损伤层的方法，考虑使用了蚀刻液的湿法蚀刻(wetetching)。但是，通常使用氢氧化钾熔融盐在360℃以上的高温下进行SiC基板的湿法蚀刻。为了避免高温区域中的蚀刻操作，期望低温下的蚀刻方法。

作为能够在低于360℃的低温下对SiC基板进行蚀刻的技术，公开有利用含有KMnO₄和NaOH的湿法蚀刻液对单晶体SiC晶圆进行湿法蚀刻的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-41526号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在专利文献1的技术中需要将蚀刻液加热至50℃～140℃，期望能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻。

本发明是鉴于上述技术问题而完成的，目的在于提供一种能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。

用于解决上述技术问题的方案

本发明人为了达成上述目的不断深入研究，结果发现，通过使用包含氟化氢和铂粒子的蚀刻液、使蚀刻液在流动的同时接触半导体基板或者使半导体基板在移动的同时接触蚀刻液，能够解决上述技术问题，从而完成了本发明。具体而言，本发明提供以下的技术方案。

本发明的第1方案是一种半导体基板的蚀刻方法，使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻，

所述蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，

该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使所述蚀刻液在流动的同时接触所述半导体基板、或者使所述半导体基板在移动的同时接触所述蚀刻液。

本发明的第2方案是包含氟化氢和铂粒子的蚀刻液。

发明效果

根据本发明能够提供一种能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。

具体实施方式

半导体基板的蚀刻方法是使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法，蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使蚀刻液在流动的同时接触半导体基板、或者使半导体基板在移动的同时接触蚀刻液。

以下，依次对能够用于上述蚀刻方法的蚀刻液以及上述蚀刻方法进行详细地说明。

蚀刻液

蚀刻液包含氟化氢和铂粒子。

铂粒子的大小并无特别限定，优选使用铂纳米粒子作为铂粒子。铂纳米粒子的平均粒径例如为30nm以下，优选为10nm以下，更优选为6nm以下。铂纳米粒子的平均粒径例如为0.1nm以上，优选为0.5nm以上,更优选为1nm以上。另外，能够通过利用动态光散射法(DLS：Dynamic Light Scattering)等测量的粒径分布来计算平均粒径，例如d50。

若铂粒子如上述那样细微，则铂粒子易于均匀且良好地分散在蚀刻液中，此外，由于铂粒子的比表面积较大，因此易于得到使用铂粒子带来的期望的效果。

蚀刻液中的铂粒子的浓度并无特别限定，相对于蚀刻液的总质量例如为0.005质量％以上，优选为0.01质量％以上，更优选为0.015质量％以上，进一步优选为0.065质量％以上。蚀刻液中的铂粒子的浓度的上限并无特别限定，相对于蚀刻液的总质量例如优选为0.25质量％以下。