[发明专利]半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液在审
| 申请号： | 202110652436.9 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113808932A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 平野勋;斋藤弘国 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/08 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 陈亦欧;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 方法 以及 | ||
1.一种半导体基板的蚀刻方法，使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻，其特征在于，
所述蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，
该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使所述蚀刻液在流动的同时接触所述半导体基板、或者使所述半导体基板在移动的同时接触所述蚀刻液。
2.如权利要求1所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻液接触工序中，在将所述半导体基板浸渍于容纳在容器中的所述蚀刻液的状态下，使所述蚀刻液、所述容器以及所述半导体基板中的至少1个活动。
3.如权利要求2所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻液接触工序中，进行所述蚀刻液的搅拌、所述容器的旋转以及所述半导体基板的旋转中的至少1种。
4.如权利要求1～3的任一项所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于，
在25℃以下进行。
5.如权利要求1所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于，
所述铂粒子为铂纳米粒子。
6.如权利要求1所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述蚀刻液包含水。
7.如权利要求1所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述蚀刻液包含氟化铵。
8.如权利要求1所述的半导体基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述半导体基板是SiC基板。
9.一种蚀刻液，其特征在于，
包含氟化氢和铂粒子。
10.如权利要求9所述的蚀刻液，其特征在于，
所述铂粒子为铂纳米粒子。
11.如权利要求9所述的蚀刻液，其特征在于，
包含水。
12.如权利要求9～11的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，包含氟化铵。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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