[发明专利]半导体装置与制作半导体装置的方法

说明书

一种半导体装置与制作半导体装置的方法，半导体装置包含第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构、第三漏极/源极结构、第一位元线、共同选择线、第二位元线与电荷储存层。第一漏极/源极结构往第一方向延伸。第二漏极/源极结构往第一方向延伸，并在垂直于第一方向的第二方向与第一漏极/源极结构间隔开。第三漏极/源极结构往第一方向延伸，并在第二方向与第二漏极/源极结构间隔开。电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。

技术领域

本案是与电子装置有关，且特别是有关于一种应用于半导体的装置。

背景技术

电子设备的发展，例如:计算机、手持装置、智能手机与物联网(internet ofthing,loT)装置等促使存储装置的需求增加。一般而言，储存装置可以是挥发式或非挥发式的记忆体装置。挥发式的记忆体设备可以在通电时储存数据但会在电源关闭时失去所有储存的数据。相比挥发式记忆体，非挥发式记忆体即使在断电后仍可存储数据但可能比挥发式记忆体来的慢。

发明内容

本案内容的一技术态样是关于一种半导体装置，包含第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构、第三漏极/源极结构、第一位元线、共同选择线、第二位元线与电荷储存层。第一漏极/源极结构往第一方向延伸。第二漏极/源极结构往第一方向延伸，并在垂直于第一方向的第二方向与第一漏极/源极结构间隔开。第三漏极/源极结构往第一方向延伸，并在第二方向与第二漏极/源极结构间隔开。第一位元线往与第一方向及第二方向垂直的第三方向延伸，第一位元线在第一方向上沉积在第一漏极/源极结构上。共同选择线包含在第三方向上延伸并且在第一方向上沉积在第二漏极/源极结构上方的一部分。第二位元线往第三方向延伸，且在第一方向上沉积在第二漏极/源极结构上。电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。

本案内容的再一技术态样是关于一种半导体装置，包含第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构、第三漏极/源极结构、第四漏极/源极结构、第一位元线、共同选择线、第二位元线、第一电荷储存层与第二电荷储存层。第一漏极/源极结构往第一方向延伸。第二漏极/源极结构往该第一方向延伸，并在垂直于该第一方向的一第二方向与该第一漏极/源极结构间隔开。第三漏极/源极结构往第一方向延伸，并在垂直于第二方向与第一方向的第三方向与第二漏极/源极结构间隔开。第四漏极/源极结构往第一方向延伸并在该第二方向第三漏极/源极结构间隔开。第一位元线往与第一方向及第二方向垂直的第三方向延伸，第一位元线在第一方向上沉积在第一漏极/源极结构上。共同选择线包含在第三方向上延伸并且在第一方向上沉积在第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构上方的一部分。第二位元线往第三方向延伸，且在第一方向上沉积在第四漏极/源极结构上。第一电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构与第二漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。第二电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构与第二漏极/源极结构中的至少一第二侧壁。

本案内容的再一技术态样是关于一种制作半导体装置的方法，制作半导体装置的方法包含：在垂直方向形成电荷储存层；形成第一漏极/源极结构往垂直方向延伸；形成第二漏极/源极结构往垂直方向延伸，并在垂直于垂直方向的第二方向与第一漏极/源极结构间隔开；形成第三漏极/源极结构往垂直方向延伸，并在第二方向与第二漏极/源极结构间隔开，其中电荷储存层耦合至每个第一漏极/源极结构、第二漏极/源极结构与第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁；形成第一位元线往与垂直方向及第二方向垂直的第三方向延伸，第一位元线在第一方向上沉积在第一漏极/源极结构上；形成共同选择线，其包含在第三方向上延伸并且在垂直方向上沉积在第二漏极/源极结构上方的一部分；形成第二位元线往第三方向延伸，且在垂直方向上沉积在第二漏极/源极结构上。

附图说明

当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可以最佳的理解本公开的各个方面。须注意的是依据不同行业的做法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚起见，可以任意地增加或减小各种特征的尺寸。

图1是依照本案多个实施例绘示一种制造三维储存装置范例的流程图；