[发明专利]半导体装置与制作半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一漏极/源极结构，往一第一方向延伸；

一第二漏极/源极结构，往该第一方向延伸，并在垂直于该第一方向的一第二方向与该第一漏极/源极结构间隔开；

一第三漏极/源极结构，往该第一方向延伸，并在该第二方向与该第二漏极/源极结构间隔开；

一第一位元线，往与该第一方向及该第二方向垂直的该第三方向延伸，该第一位元线在该第一方向上沉积在该第一漏极/源极结构上；

一共同选择线，其包含在该第三方向上延伸并且在该第一方向上沉积在该第二漏极/源极结构上方的一部分；

一第二位元线，往该第三方向延伸，且在该第一方向上沉积在该第二漏极/源极结构上；以及

一电荷储存层，耦合至每个该第一漏极/源极结构、该第二漏极/源极结构与该第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电荷储存层围绕该第一漏极/源极结构、该第二漏极/源极结构与该第三漏极/源极结构。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一第二电荷储存层，其耦合于每一个该第一漏极/源极结构、该第二漏极/源极结构与该第三漏极/源极结构的一第二侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一通道，其耦合于该电荷储存层与该至少一第一侧壁之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一栅极结构，其耦合于该电荷储存层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该栅极结构围绕该电荷储存层。

7.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一漏极/源极结构，往一第一方向延伸；

一第二漏极/源极结构，往该第一方向延伸，并在垂直于该第一方向的一第二方向与该第一漏极/源极结构间隔开；

一第三漏极/源极结构，往该第一方向延伸，并在垂直于该第二方向与该第一方向的一第三方向与该第二漏极/源极结构间隔开；

一第四漏极/源极结构，往该第一方向延伸，并在该第二方向与该第三漏极/源极结构间隔开；

一第一位元线，往与该第一方向及该第二方向垂直的该第三方向延伸，该第一位元线在该第一方向上沉积在该第一漏极/源极结构上；

一共同选择线，其包含在该第三方向上延伸并且在该第一方向上沉积在该第二漏极/源极结构与该第三漏极/源极结构上方的一部分；

一第二位元线，往该第三方向延伸，且在该第一方向上沉积在该第四漏极/源极结构上；

一第一电荷储存层，耦合至每个该第一漏极/源极结构与该第二漏极/源极结构中的至少一第一侧壁；以及

一第二电荷储存层，耦合至每个该第一漏极/源极结构与该第二漏极/源极结构中的至少一第二侧壁。

8.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包含：

在一垂直方向形成一电荷储存层；

形成一第一漏极/源极结构往该垂直方向延伸；

形成一第二漏极/源极结构往该垂直方向延伸，并在垂直于该垂直方向的一第二方向与该第一漏极/源极结构间隔开；

形成一第三漏极/源极结构，往该垂直方向延伸，并在该第二方向与该第二漏极/源极结构间隔开，其中该电荷储存层耦合至每个该第一漏极/源极结构、该第二漏极/源极结构与该第三漏极/源极结构中的至少一第一侧壁；

形成一第一位元线，往与该垂直方向及该第二方向垂直的该第三方向延伸，该第一位元线在该第一方向上沉积在该第一漏极/源极结构上；

形成一共同选择线，其包含在该第三方向上延伸并且在该垂直方向上沉积在该第二漏极/源极结构上方的一部分；

形成一第二位元线，往该第三方向延伸，且在该垂直方向上沉积在该第二漏极/源极结构上。