[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底、第一金属层、缓冲层和半导体层，第一金属层包括源极、漏极和遮光部，缓冲层覆盖第一金属层，半导体层设于缓冲层上，半导体层通过贯穿缓冲层的第一过孔与源极电连接，半导体通过贯穿缓冲层的第二过孔与漏极电连接。本发明通过将源极、漏极与遮光部同层设置于衬底上，源极、漏极与遮光部可采用同一道黄光制程形成，减少了光罩数量和制程步骤，有利于降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

氧化物薄膜晶体管技术被认为是有希望取代非晶硅薄膜晶体管技术而成为下一代显示驱动背板的主流技术。与非晶硅薄膜晶体管技术相比，氧化物薄膜晶体管具有迁移率较高(μ10cm2/Vs)、大面积均匀性好和生产成本较低等特点。然而，氧化物薄膜晶体管的稳定性仍然存在一定的问题，相对于采用背沟道蚀刻(Back Channel Etch，BCE)结构的氧化物薄膜晶体管来说，采用顶栅结构的氧化物薄膜晶体管的稳定性较好，但是采用顶栅结构的氧化物薄膜晶体管的制程步骤和光罩数目较多，导致成本较高。

综上，需要提供一种新的阵列基板及其制备方法、显示面板，来解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现有的阵列基板的制备所需制程步骤和光罩数目较多，导致成本较高的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种阵列基板，包括：

衬底；

第一金属层，设于所述衬底上，所述第一金属层包括源极、漏极和遮光部；

缓冲层，覆盖所述第一金属层，所述缓冲层设有贯穿所述缓冲层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应所述源极设置，所述第二过孔对应所述漏极设置；以及

半导体层，设于所述缓冲层上，所述半导体层通过所述第一过孔与所述源极电连接，所述半导体层通过所述第二过孔与所述漏极电连接。

根据本发明提供的阵列基板，所述源极和所述漏极间隔设于所述遮光部的两侧。

根据本发明提供的阵列基板，所述源极和所述漏极分别设于所述遮光部的两侧，所述遮光部的一侧与所述源极相连，所述遮光部的另一侧与所述漏极间隔设置；或者，所述遮光部的一侧与所述漏极相连，所述遮光部的另一侧与所述源极间隔设置。

根据本发明提供的阵列基板，所述阵列基板还包括：

栅极绝缘层，设于所述半导体层上；

第二金属层，设于所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括栅极；

层间介质层，覆盖所述缓冲层、所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极；以及

透明电极，设于所述层间介质层上，所述透明电极与所述源极电连接。

根据本发明提供的阵列基板，所述栅极在所述衬底上的正投影落在所述遮光部在所述衬底上的正投影内。

根据本发明提供的阵列基板，所述阵列基板还包括第三过孔，所述第三过孔贯穿所述缓冲层和所述层间介质层且对应所述源极，所述透明电极通过所述第三过孔与所述源极电连接。

本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一金属层；

利用黄光制程图案化所述第一金属层以形成源极、漏极和遮光部；

在所述第一金属层上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述衬底、所述源极、所述漏极和所述遮光部；