[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审
| 申请号: | 202110650642.6 | 申请日: | 2021-06-11 |
| 公开(公告)号: | CN113437090A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
| 发明(设计)人: | 李恭檀;李珊;徐铉植 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
第一金属层,设于所述衬底上,所述第一金属层包括源极、漏极和遮光部;
缓冲层,覆盖所述第一金属层,所述缓冲层设有贯穿所述缓冲层的第一过孔和第二过孔,所述第一过孔对应所述源极设置,所述第二过孔对应所述漏极设置;以及
半导体层,设于所述缓冲层上,所述半导体层通过所述第一过孔与所述源极电连接,所述半导体层通过所述第二过孔与所述漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极和所述漏极间隔设于所述遮光部的两侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极和所述漏极分别设于所述遮光部的两侧,所述遮光部的一侧与所述源极相连,所述遮光部的另一侧与所述漏极间隔设置;或者,所述遮光部的一侧与所述漏极相连,所述遮光部的另一侧与所述源极间隔设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
栅极绝缘层,设于所述半导体层上;
第二金属层,设于所述栅极绝缘层上,所述第二金属层包括栅极;
层间介质层,覆盖所述缓冲层、所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极;以及
透明电极,设于所述层间介质层上,所述透明电极与所述源极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极在所述衬底上的正投影落在所述遮光部在所述衬底上的正投影内。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第三过孔,所述第三过孔贯穿所述缓冲层和所述层间介质层且对应所述源极,所述透明电极通过所述第三过孔与所述源极电连接。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成第一金属层;
利用黄光制程图案化所述第一金属层以形成源极、漏极和遮光部;
在所述第一金属层上形成缓冲层,所述缓冲层覆盖所述衬底、所述源极、所述漏极和所述遮光部;
图案化所述缓冲层以在所述缓冲层上与所述源极对应的位置处形成第一过孔,并在所述缓冲层上与所述漏极对应的位置处形成第二过孔;以及
在所述缓冲层上形成有源层,图案化所述有源层形成半导体层,所述半导体层通过所述第一过孔与所述源极电连接,所述半导体层通过所述第二过孔与所述漏极电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在图案化所述有源层以形成半导体层之后,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述半导体层上依次形成绝缘层和第二金属层;
图案化所述绝缘层和所述第二金属层,以使所述绝缘层形成栅极绝缘层,使所述第二金属层至少形成栅极;
在所述第二金属层上形成层间介质层;
在所述层间介质层上形成透明导电层;以及
图案化所述透明导电层形成透明电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述层间介质层上形成透明导电层之前,所述制备方法还包括以下步骤:
图案化所述层间介质层和所述缓冲层,形成贯穿所述缓冲层和所述层间介质层的第三过孔,所述透明电极通过所述第三过孔与所述源极电连接。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括对置基板、液晶层和如权利要求1-6任一项所述的阵列基板,所述阵列基板与所述对置基板相对间隔设置,所述液晶层夹设于所述阵列基板和所述对置基板之间。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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