[发明专利]P型环栅器件堆叠结构及增强P型环栅器件沟道应力方法

权利要求书

1.一种用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，包括：

底层结构；

设置在所述底层结构上的堆叠件，所述堆叠件包括交替层叠的牺牲层与沟道层，所述牺牲层与所述底层结构接触；

其中，所述牺牲层的材料的晶格常数小于所述沟道层的材料的晶格常数，并且所述沟道层的材料的晶格常数等于所述底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，所述沟道层无应变，所述牺牲层具有初始的张应变；当所述牺牲层发生弛豫时，所述沟道层受到所述牺牲层因弛豫而诱导的压应变。

2.根据权利要求1所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述底层结构为硅衬底。

3.根据权利要求2所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述沟道层的材料为Si，所述牺牲层的材料为SiC。

4.根据权利要求1所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述底层结构为SRB层。

5.据权利要求4所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述SRB层具体为Si_0.5Ge_0.5。

6.据权利要求5所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述沟道层的材料为Si_0.5Ge_0.5，所述牺牲层的材料为Si_0.75Ge_0.25。

7.据权利要求1-6任一项所述的用于P型环栅器件的堆叠结构，其特征在于，所述沟道层为纳米线结构或者纳米片结构。

8.一种增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，包括：

提供底层结构；

在所述底层结构上形成堆叠件，所述堆叠件包括交替层叠的牺牲层与沟道层，所述牺牲层与所述底层结构接触；其中，所述牺牲层的材料的晶格常数小于所述沟道层的材料的晶格常数，并且所述沟道层的材料的晶格常数等于所述底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，所述沟道层无应变，所述牺牲层具有初始的张应变；

进行制备P型环栅器件的后续工艺，所述牺牲层在后续工艺的作用下发生弛豫，所述沟道层受到所述牺牲层因弛豫而诱导的压应变。

9.如权利要求8所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述后续工艺包括但不限于：

对堆叠件进行鳍结构刻蚀以及鳍结构截断，形成鳍结构；

对鳍结构进行源/漏刻蚀，形成源/漏空腔；

在所述源/漏空腔内外延源/漏层，形成源/漏区；

去除所述鳍结构中的牺牲层，进行沟道释放。

10.根据权利要求8或9所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述底层结构为硅衬底。

11.根据权利要求10所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述沟道层的材料为Si，所述牺牲层的材料为SiC。

12.根据权利要求8或9所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述底层结构为SRB层。

13.据权利要求13所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述SRB层具体为Si_0.5Ge_0.5。

14.据权利要求14所述的增强P型环栅器件的沟道应力的方法，其特征在于，所述沟道层的材料为Si_0.5Ge_0.5，所述牺牲层的材料为Si_0.75Ge_0.25。