[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第一导电型的第一有源区域、以及第三电极。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层之上。所述第一有源区域在第二方向上与所述第二半导体层邻接。所述第一有源区域具有所述第一上部与第二下部。所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。所述第三半导体层与所述第二电极电连接。所述第三电极隔着绝缘膜设于与所述第一有源区域之间。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-157903号(申请日：2020年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

具有包含碳化硅(SiC)的半导体部分的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)为了抑制寄生二极管的动作，有时并列设置肖特基势垒二极管(Schottky diode、SBD)。在这种半导体装置中，也需求可靠性的进一步提高。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第一导电型的第一有源区域、以及第三电极。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述第一有源区域在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上，与所述第二半导体层邻接。所述第一有源区域具有所述第一上部与第二下部。所述第一上部位于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述第一下部位于所述第一半导体层与所述第一上部之间。所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间。所述第三半导体层与所述第二电极电连接。所述第三电极隔着绝缘膜以及绝缘层设于所述第一有源区域、所述第二半导体层以及所述第三半导体层与所述第二电极之间。

实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第一导电型的有源区域。所述第一半导体层设于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述有源区域在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上，与所述第二半导体层邻接。所述有源区域具有上部与下部。所述上部设于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述上部与所述第二电极相接。所述下部位于所述第一半导体层与所述上部之间。所述下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示图1的区域A的放大俯视图。

图3是图2所示的B-B'线的截面图。

图4是表示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的MOSFET的放大截面图。

图5是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的MOSFET的放大截面图。

图6是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的MOSFET的放大截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对各实施方式进行说明。