[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一电极；

第二电极；

第一导电型的第一半导体层，设于所述第一电极与所述第二电极之间；

第二导电型的第二半导体层，设于所述第一半导体层与所述第二电极之间；

第一有源区域，在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上与所述第二半导体层邻接，所述第一有源区域具有第一上部以及第一下部，所述第一上部位于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第一下部位于所述第一半导体层与所述第一上部之间，并且所述第一下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第一上部在所述第二方向上的宽度的平均值大；

第一导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层与所述第二电极之间，并与所述第二电极电连接；以及

第三电极，隔着绝缘膜以及绝缘层而设于所述第一有源区域与所述第二电极之间、所述第二半导体层与所述第二电极之间、以及所述第三半导体层与所述第二电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一有源区域的与所述绝缘膜相接的上表面的宽度，比所述第一上部的宽度的平均值小。

3.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一有源区域的与所述绝缘膜相接的上表面的宽度，比所述第一上部与所述第一下部的内部边界面的宽度小。

4.如权利要求1所述的半导体装置，

所述第一半导体层还具有第一区域，所述第一区域位于所述第一有源区域以及所述第二半导体层之下，所述第一区域的上表面与所述第一有源区域以及所述第二半导体层的下表面相接，

所述第一有源区域的与所述绝缘膜相接的上表面的宽度，比所述第一有源区域与所述第一区域的第一边界面的宽度小。

5.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备第二有源区域，所述第二有源区域设于所述第一区域与所述第二电极之间，在所述第二方向的相反方向上与所述第二半导体层邻接，并与所述第二电极相接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，

所述第二有源区域具有第二上部和第二下部，所述第二上部与所述第二电极相接，所述第二下部位于所述第一区域与所述第二上部之间，并且所述第二下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述第二上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。

7.如权利要求6所述的半导体装置，

所述第二有源区域与所述第一区域的第二边界面的宽度比所述第二下部的宽度的平均值大。

8.如权利要求6所述的半导体装置，

所述第二有源区域与所述第一区域的第二边界面的宽度，比所述第二上部与所述第二下部的内部边界面的宽度大。

9.一种半导体装置，具备：

第一电极；

第二电极；

第一导电型的第一半导体层，设于所述第一电极与所述第二电极之间；

第二导电型的第二半导体层，设于所述第一半导体层与所述第二电极之间；以及

有源区域，在与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向正交的第二方向上与所述第二半导体层邻接，所述有源区域具有上部以及下部，所述上部设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，并与所述第二电极相接，所述下部位于所述第一半导体层与所述上部之间，并且所述下部在所述第二方向上的宽度的平均值比所述上部在所述第二方向上的宽度的平均值大。