[发明专利]用于异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备

说明书

本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。该方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；然后对第一本征、N型、第二本征、P型PECVD反应腔、第一、第二PVD腔同时抽真空；接着在第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片正面形成第一本征非晶硅；然后将托盘分别传送至N型、第二本征、P型PECVD反应腔中分别进行N型、第二本征、P型PECVD工艺，从而在第一本征非晶硅上形成N型非晶硅、在硅片背面上依次形成第二本征、P型非晶硅；接着将托盘传送至第一、第二PVD腔，从而在N型、P型非晶硅形成第一、第二透明导电膜；最后对全部成膜腔同时破真空。本发明能减少破空次数，简化设备，降低成本，提升电池效率及良率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造领域，特别涉及用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。

背景技术

薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景，并有望成为继PERC电池之后的下一代高效太阳能电池。

在异质结太阳能电池的制备中，现有普遍技术为先在PE镀膜设备中通过相应的PECVD工艺镀第一本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、第二本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，即INIP非晶硅薄膜，然后再进入PVD设备中通过相应的PVD设备进行透明导电薄膜(TCO)的镀膜，PECVD和PVD为两台分立的设备。但是因为异质结电池需要双面工艺，要完成所有PECVD中的INIP层镀膜往往需要额外的真空腔室破空和自动化翻面，或者使用镂空的托盘来实现。额外的破空、翻面或是采用镂空托盘都会对电池生产环节带来各自的问题，如设备成本增加、电池良率和效率下降、碎片率上升等。

因此，如何提供一种用于异质结太阳能电池的镀膜方法，以减少额外的破空或翻面，并能有效抑制效率下降，降低碎片率，提高电池良率，已成为业内亟待解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术的上述问题，本发明提出了一种用于异质结太阳能电池的镀膜方法，所述方法包括以下步骤：

(a1)、将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；

(b1)、对第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时抽真空；

(c1)、使所述硅片在所述第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片的正面上形成第一本征非晶硅；

(d1)、将所述托盘传送至所述N型PECVD反应腔进行N型PECVD工艺，从而在所述第一本征非晶硅上形成N型非晶硅；

(e1)、将所述托盘传送至所述第二本征PECVD反应腔进行第二本征PECVD工艺，从而在硅片背面上形成第二本征非晶硅；

(f1)、将所述托盘传送至所述P型PECVD反应腔进行P型PECVD工艺，从而在所述第二本征非晶硅上形成P型非晶硅；

(g1)、将所述托盘传送至所述第一PVD反应腔进行第一PVD工艺，从而在硅片正面的所述N型非晶硅上形成第一透明导电膜；

(h1)、将所述托盘传送至所述第二PVD反应腔进行第二PVD工艺，从而在硅片背面的所述P型非晶硅上形成第二透明导电膜；以及

(i1)、对所述第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时破真空。

在一实施例中，所述P型PECVD工艺的工艺气体包括硼烷以及硅烷，所述N型PECVD工艺的工艺气体包括磷烷以及硅烷。