[发明专利]用于异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备

权利要求书

1.一种用于异质结太阳能电池的镀膜方法，所述方法包括以下步骤：

(a1)、将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；

(b1)、对第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时抽真空；

(c1)、使所述硅片在所述第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片的正面上形成第一本征非晶硅；

(d1)、将所述托盘传送至所述N型PECVD反应腔进行N型PECVD工艺，从而在所述第一本征非晶硅上形成N型非晶硅；

(e1)、将所述托盘传送至所述第二本征PECVD反应腔进行第二本征PECVD工艺，从而在硅片背面上形成第二本征非晶硅；

(f1)、将所述托盘传送至所述P型PECVD反应腔进行P型PECVD工艺，从而在所述第二本征非晶硅上形成P型非晶硅；

(g1)、将所述托盘传送至所述第一PVD反应腔进行第一PVD工艺，从而在硅片正面的所述N型非晶硅上形成第一透明导电膜；

(h1)、将所述托盘传送至所述第二PVD反应腔进行第二PVD工艺，从而在硅片背面的所述P型非晶硅上形成第二透明导电膜；以及

(i1)、对所述第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时破真空。

2.一种用于异质结太阳能电池的镀膜方法，所述方法包括以下步骤：

(a2)、将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；

(b2)、对第一本征PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时抽真空；

(c2)、使所述硅片在所述第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片的正面上形成第一本征非晶硅；

(d2)、将所述托盘传送至所述第二本征PECVD反应腔进行第二本征PECVD工艺，从而在硅片背面上形成第二本征非晶硅；

(e2)、将所述托盘传送至N型PECVD反应腔进行N型PECVD工艺，从而在硅片正面的所述第一本征非晶硅上形成N型非晶硅；

(f2)、将所述托盘传送至P型PECVD反应腔进行P型PECVD工艺，从而在硅片背面的第二本征非晶硅上形成P型本征非晶硅；

(g2)、将所述托盘传送至第一PVD反应腔进行第一PVD工艺，从而在硅片正面的所述N型非晶硅上形成第一透明导电膜；

(h2)、将所述托盘传送至第二PVD反应腔进行第二PVD工艺，从而在硅片背面的所述P型非晶硅上形成第二透明导电膜；以及

(i2)、对所述第一本征PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD腔以及第二PVD腔同时破真空。

3.根据权利要求1或2所述的用于异质结太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述P型PECVD工艺的工艺气体包括硼烷以及硅烷，所述N型PECVD工艺的工艺气体包括磷烷以及硅烷。

4.根据权利要求1或2所述的用于异质结太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述第一本征非晶硅层的厚度为1-8nm，第二本征非晶硅层厚度为1-8nm；所述N型非晶硅层的厚度为5-10nm，所述P型非晶硅层的厚度为5-10nm，所述第一透明导电膜以及所述第二透明导电膜的厚度均为70-110nm。

5.根据权利要求1或2所述的用于异质结太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述托盘正面上设置有用于从正面以正面朝上方式放置硅片的第一凹槽，所述托盘背面上设置有用于露出硅片背面的第二凹槽。

6.一种用于制造异质结太阳能电池的镀膜设备，包括依次真空连接并能同时抽真空及破真空的第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第二本征PECVD反应腔、P型PECVD反应腔、第一PVD反应腔以及第二PVD反应腔。