[发明专利]硅片多线切割方法

说明书

本发明涉及一种硅片多线切割方法，包括S1、在待切割晶锭的两端分别确定与长度方向垂直的第一横截面和第二横截面的位置，其中第一横截面为面积满足预定要求、且与第一端面具有一个以上的公共点的横截面，二横截面为面积满足预定要求、且与第二端面具有一个以上的公共点的横截面；S2、在待切割晶锭的外表面与第一横截面的交线上标记第一标识；在待切割晶锭的外表面与第二横截面的交线上标记第二标识；S3、根据第一标识确定起始切割位置，根据第二标识确定末尾切割位置。本发明一定程度提高了生产效率，提高多次动作的重复度。起始切割位置及末尾切割位置的定位较为准确，减少了硅料损失，提高了晶锭的产出率。

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，特别是涉及硅片多线切割方法。

背景技术

随着太阳能光伏行业的发展，硅片在半导体器件、太阳能电池等领域的应用不断增多。随之出现了硅片多线切割技术，其是通过切割线网的高速往复运动，将半导体加工区域的晶锭一次性切割为数百片硅片的一种切割加工方法。

传统技术中，晶锭通常是采用直拉法、区熔法制作完成的，其成品一般为棒状或块状结构，晶锭的两个端面通常为斜面或其他不规则的表面。在多线切割机对晶锭进行切片加工时，由于晶锭的两个端面可能存在倾斜或其他不规则情况，对两端切割会切割出不完整片状或其他不规则形状的头、尾片，此部分头、尾片需要当作废片处理。

然而，为了减小头、尾片的浪费，通常需要在晶棒上机后，操作人员通过直尺等量具反复测量，确定多线切割设备上切割线网的起始切割位置和末尾切割位置，并且反复调整切割线网。此种方式不但效率低下，而且存在因测量误差而导致头、尾片切割精度较低的问题，而造成不必要的浪费，降低了多线切割加工的产出。

发明内容

基于此，有必要针对头、尾片切割精度较低，导致其对多线切割加工的产出率影响较大的问题，提供一种硅片多线切割方法。

一种硅片多线切割方法，用于待切割晶锭的切片，所述待切割晶锭长度方向具有第一端面及第二端面，所述硅片多线切割方法包括如下步骤：

S1、在待切割晶锭的两端分别确定与长度方向垂直的第一横截面和第二横截面的位置，其中所述第一横截面为面积满足预定要求、且与所述第一端面具有一个以上的公共点的横截面，所述二横截面为面积满足预定要求、且与所述第二端面具有一个以上的公共点的横截面；

S2、在所述待切割晶锭的外表面与所述第一横截面的交线上标记第一标识；在所述待切割晶锭的外表面与所述第二横截面的交线上标记第二标识；

S3、根据所述第一标识确定起始切割位置，根据所述第二标识确定末尾切割位置。

下面对本申请的技术方案作进一步说明：

在其中一个实施例中，步骤S1包括：获取所述待切割晶锭的尺寸数据，根据所述尺寸数据确定所述第一横截面及所述第二横截面。

在其中一个实施例中，步骤S1包括：测量所述待切割晶锭的外轮廓信息，根据所述外轮廓信息获得所述尺寸数据。

在其中一个实施例中，所述外轮廓信息采用接触式测量装置或非接触式测量装置获取。

在其中一个实施例中，步骤S1包括：

获取所述第一端面的第一形态信息，根据所述第一形态信息获得第一基准特征，将所述第一基准特征所在的横截面确定为所述第一横截面；

获取所述第二端面的第二形态信息，根据所述第二形态信息获得第二基准特征，将所述第二基准特征所在的横截面确定为所述第二横截面。

在其中一个实施例中，步骤S1包括：

取位于所述待切割晶锭以外、靠近所述第一端面、且垂直于所述待切割晶锭长度方向的任一平面作为第一基准面，将位于所述第一端面上、且至所述第一基准面距离最长的点所组成的集合作为所述第一基准特征；