[发明专利]硅片多线切割方法

权利要求书

1.一种硅片多线切割方法，用于待切割晶锭的切片，所述待切割晶锭长度方向具有第一端面及第二端面，其特征在于，所述硅片多线切割方法包括如下步骤：

S1、在待切割晶锭的两端分别确定与长度方向垂直的第一横截面和第二横截面的位置，其中所述第一横截面为面积满足预定要求、且与所述第一端面具有一个以上的公共点的横截面，所述二横截面为面积满足预定要求、且与所述第二端面具有一个以上的公共点的横截面；

S2、在所述待切割晶锭的外表面与所述第一横截面的交线上标记第一标识；在所述待切割晶锭的外表面与所述第二横截面的交线上标记第二标识；

S3、根据所述第一标识确定起始切割位置，根据所述第二标识确定末尾切割位置。

2.根据权利要求1所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S1包括：获取所述待切割晶锭的尺寸数据，根据所述尺寸数据确定所述第一横截面及所述第二横截面。

3.根据权利要求2所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S1包括：测量所述待切割晶锭的外轮廓信息，根据所述外轮廓信息获得所述尺寸数据。

4.根据权利要求3所述的硅片多线切割方法，其特征在于，所述外轮廓信息采用接触式测量装置或非接触式测量装置获取。

5.根据权利要求1所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S1包括：

获取所述第一端面的第一形态信息，根据所述第一形态信息获得第一基准特征，将所述第一基准特征所在的横截面确定为所述第一横截面；

获取所述第二端面的第二形态信息，根据所述第二形态信息获得第二基准特征，将所述第二基准特征所在的横截面确定为所述第二横截面。

6.根据权利要求5所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S1包括：

取位于所述待切割晶锭以外、靠近所述第一端面、且垂直于所述待切割晶锭长度方向的任一平面作为第一基准面，将位于所述第一端面上、且至所述第一基准面距离最长的点所组成的集合作为所述第一基准特征；

取位于所述待切割晶锭以外、靠近所述第二端面、且垂直于所述待切割晶锭长度方向的任一平面作为第二基准面，将位于所述第二端面上、且至所述第二基准面距离最长的点所组成的集合作为所述第二基准特征。

7.根据权利要求5所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S1包括：

取垂直于所述待切割晶锭长度方向的任一横截面为基准横截面；将位于所述第一端面上、且至所述基准横截面距离最短的点所组成的集合作为所述第一基准特征；将位于所述第二端面上、且至所述基准横截面距离最短的点所组成的集合作为所述第二基准特征。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S2包括采用激光打标机标识所述第一标识及第二标识。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的硅片多线切割方法，其特征在于，步骤S3包括：

将所述待切割晶锭固定于多线切割设备；

将所述多线切割设备上切割线网的起始切割位置与所述第一标识对应，将所述切割线网的末尾切割位置与所述第二标识对应。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的硅片多线切割方法，其特征在于，所述第一标识包括标识线和/或标记点；所述第二标识包括标识线和/或标记点。