[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一重新分布衬底；

第一半导体芯片，其安装在所述第一重新分布衬底上；

第二半导体芯片，其设置在所述第一半导体芯片的顶表面上；

绝缘层，其围绕所述第一重新分布衬底上的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；

第二重新分布衬底，其设置在所述第二半导体芯片上，并且所述第二半导体芯片安装在所述第二重新分布衬底上；以及

连接端子，其设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的一侧，并且连接至所述第一重新分布衬底和所述第二重新分布衬底，

其中，所述第二半导体芯片的无源表面与所述第一半导体芯片的无源表面接触，并且

其中，在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的界面处，所述第一半导体芯片的上部和所述第二半导体芯片的下部构成由相同的材料形成的一体。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的上部和所述第二半导体芯片的下部包含绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述绝缘材料包括氧或氮，

其中，所述第一半导体芯片的上部包括所述第一半导体芯片的半导体材料的氧化物、氮化物或氮氧化物，并且

其中，所述第二半导体芯片的下部包括所述第二半导体芯片的半导体材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的上部中的氧或氮的浓度和所述第二半导体芯片的下部中的氧或氮的浓度随着距所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的所述界面的距离增大而减小。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片包括第一芯片焊盘，所述第一芯片焊盘连接至所述第一半导体芯片中的集成电路，并且连接至所述第一重新分布衬底，并且

其中，所述第二半导体芯片包括第二芯片焊盘，所述第二芯片焊盘连接至所述第二半导体芯片中的集成电路，并且连接至所述第二重新分布衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的宽度等于所述第二半导体芯片的宽度，并且

其中，所述第一半导体芯片的侧壁与所述第二半导体芯片的侧壁竖直对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片的宽度小于所述第二半导体芯片的宽度，并且

其中，所述半导体封装件还包括模制结构，所述模制结构设置在所述第一半导体芯片的一侧，并且位于所述第二半导体芯片与所述第一重新分布衬底之间。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，还包括：

第三半导体芯片，其与所述第一半导体芯片间隔开，并且安装在所述第一重新分布衬底上，

其中，所述第三半导体芯片的无源表面与所述第二半导体芯片的无源表面接触，并且

其中，在所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片之间的界面处，所述第三半导体芯片的上部和所述第二半导体芯片的下部构成由相同的材料形成的一体。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述模制结构填充所述第一半导体芯片与所述第三半导体芯片之间的空间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

第四半导体芯片，其与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片水平间隔开，并且安装在所述第一重新分布衬底上，

其中，所述绝缘层围绕所述第四半导体芯片。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述绝缘层填充所述第一重新分布衬底与所述第二重新分布衬底之间的空间，并且

其中，所述连接端子包括竖直穿过所述绝缘层的贯通电极。