[发明专利]碳纳米管器件及其使用方法在审
| 申请号: | 202110639098.5 | 申请日: | 2021-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN115458379A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 高新雨;陈果;张科;丛琳;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/02 | 分类号: | H01J37/02;H01J37/26;H01J37/28;B82Y40/00;G01N23/22 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 器件 及其 使用方法 | ||
本发明涉及一种碳纳米管器件。所述碳纳米管器件包括一导电基底及一碳纳米管阵列,所述导电基底包括一头部及一长柄,所述头部定义一通孔,该通孔周围的头部表面设置一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括多个基本垂直于端部表面的碳纳米管。本发明进一步提供一种该碳纳米管器件的使用方法。
技术领域
本发明涉及一种碳纳米管器件及其使用方法。
背景技术
扫描电子显微镜(扫描电镜)是一种电子光学仪器,主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态,即用极狭窄的电子束去扫描样品,通过电子束与样品的相互作用产生各种效应,其中主要是样品的二次电子发射。二次电子能够产生样品表面放大的形貌像,这个像是在样品被扫描时按时序建立起来的,即使用逐点成像的方法获得放大像。然而,对于绝缘样品或者导电性不好的样品,在高加速电压下产生的电子不能被导向大地,从而形成样品表面荷电效应,影响扫描电镜(SEM)成像观察。现有技术中,通常的解决方案是在样品的表面喷涂或者蒸镀导电层,如金,铂,碳等,或者采用导电胶涂覆在样品表面,以减少荷电效应。现有技术中的这种样品的处理方式,导电层/导电胶形成在样品表面后,无法从样品上完全去除,导致样品无法二次使用。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种碳纳米管器件及其使用方法,可以解决上述技术技术问题。
一种碳纳米管器件,其包括一导电基底及一碳纳米管阵列,所述导电基底包括一头部及一长柄,所述头部定义一通孔,该通孔周围的头部表面设置一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括多个基本垂直于端部表面的碳纳米管。
一种应用于扫描电镜中的碳纳米管器件,其包括一导电基底及一碳纳米管阵列,所述导电基底包括一头部及一长柄,所述头部定义一通孔,该通孔周围的端部表面设置一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括多个基本垂直于头部表面的碳纳米管,所述通孔用于使扫描电镜发出的电子束穿过,所述碳纳米管阵列与样品表面接触。
本发明所提供的碳纳米管器件,包括一垂直设置的碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列的一端与导电基底导电接触,另一端与扫描电镜样品接触,在扫描电镜观测样品的过程中,将样品表面产生的电子导走,从而防止了样品表面的荷电效应,使样品的形貌可以被清楚观测到。同时,在完成扫描电镜拍照后,所述碳纳米管器件与样品可轻易分离,不会对样品造成破坏。该碳纳米管器件可重复使用。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的碳纳米管器件的结构示意图。
图2为图1中碳纳米管器件的侧面示意图。
图3为本发明实施例所提供的碳纳米管器件在应用时与待测样品接触的结构示意图。
图4是一个示例中的碳纳米管器件的结构示意图。
图5是另一个示例中的碳纳米管器件的结构示意图。
图6为本发明第二实施例提供的碳纳米管器件的结构示意图。
图7为本发明第三实施例提供的碳纳米管器件的结构示意图。
图8为本发明第四实施例提供的碳纳米管器件的结构示意图。
主要元件符号说明
碳纳米管器件 10,20,30;40
头部 102,202,302
长柄 104,204,304;404
碳纳米管阵列 106,206,306;406
通孔 108,208,308;408
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