[发明专利]一种单晶硅片背面抛光方法及硅片

说明书

本发明公开了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：提供硅片；在硅片的正面形成水膜；将硅片的背面接触第一酸液，以去除PSG；采用氧化液在硅片的正面形成氧化层；背面接触碱液，抛光硅片的背面；采用第二酸液去除硅片正面的氧化层；其中，所述碱液不与所述氧化层反应。相应的，本发明还公开了一种硅片，其采用上述的单晶硅片正面抛光方法抛光后得到。实施本发明，可提升抛光效率，降低抛光工艺成本。

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种单晶硅片背面抛光方法及硅片。

背景技术

PERC(Passivated emitter rear contact)电池是目前工艺较为成熟的高效率太阳能电池之一。在其制备过程中，需要在硅基底背面制备叠层钝化层，并通过开槽形成背面局部接触结构。为了减少硅基底背面的悬挂键，降低负荷速率，一般在制绒后对硅片背面进行抛光，以削平背面的金字塔塔尖。

现有技术中，抛光工艺包括链式酸抛光工艺和槽式碱抛光两种。链式酸抛光工艺采用链式设备，采用氢氟酸、硫酸、硝酸的混合溶液作为抛光液进行抛光，这种抛光工艺不仅抛光效率较低，且容易产生大量的污染性气体。槽式碱抛光工艺采用槽式设备，采用KOH溶液作为抛光液进行抛光，这种抛光工艺的抛光效率较高，但为了保证抛光过程中硅片正面的金字塔结构不被破坏，一般在硅片正面先制备SiN_x膜或SiO₂膜。其中，SiN_x膜需要采用PECVD法制备，工艺复杂。而用SiO₂一般通过热氧工艺形成，其结构较为稳定，抛光前往往需要在背面印刷腐蚀性浆料以去除该氧化层，这大幅提升了工艺的难度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种单晶硅片背面抛光方法，其成本低，且抛光效率高。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种硅片。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种单晶硅片背面抛光方法，其包括：

(1)提供硅片；

(2)在所述硅片的正面形成水膜；

(3)将所述硅片的背面接触第一酸液，以去除硅片背面的PSG；

(4)采用氧化液在所述硅片的正面形成氧化层；

(5)将步骤(4)得到的硅片背面接触碱液，以抛光硅片的背面；

(6)采用第二酸液去除硅片正面的氧化层；

其中，所述碱液不与所述氧化层反应。

作为上述技术方案的改进，步骤(6)包括：

(6.1)采用清洗液清洗所述硅片的背面；

(6.2)采用第二酸液去除所述硅片正面的氧化层。

作为上述技术方案的改进，步骤(2)～步骤(6)在链式抛光设备中进行；所述链式抛光设备包括箱体和传送辊；所述箱体内依次设有第一水洗区、第一酸洗区、氧化区、碱洗区、清洗区和第二酸洗区。

作为上述技术方案的改进，步骤(2)中，在所述第一水洗区内对所述硅片进行处理；

其中，第一水洗区内设有第一喷淋装置，所述第一喷淋装置在硅片的上方喷淋水，以在硅片的正面形成水膜，且硅片的背面不形成水膜。

作为上述技术方案的改进，步骤(3)中，在所述第一酸洗区内对所述硅片进行处理；

其中，所述第一酸洗区内设有第一酸液槽，位于第一酸洗区内的传送辊部分浸没于所述第一酸液槽中，以将第一酸液带出，与硅片的背面接触；

其中，第一酸液为HF溶液，其浓度为3～8wt％。