[发明专利]一种单晶硅片背面抛光方法及硅片

权利要求书

1.一种单晶硅片背面抛光方法，其特征在于，包括：

(1)提供硅片；

(2)在所述硅片的正面形成水膜；

(3)将所述硅片的背面接触第一酸液，以去除硅片背面的PSG；其中，所述第一酸液为HF溶液，其浓度为3～8wt％；

(4)采用氧化液在所述硅片的正面形成氧化层；

(5)将步骤(4)得到的硅片背面接触碱液，以抛光硅片的背面；

(6)采用第二酸液去除硅片正面的氧化层；

其中，所述碱液不与所述氧化层反应；步骤(6)包括：

(6.1)采用清洗液清洗所述硅片的背面；

(6.2)采用第二酸液去除所述硅片正面的氧化层；其中，所述第二酸液为HF溶液，其浓度为5～10wt％；

步骤(2)～步骤(6)在链式抛光设备中进行；所述链式抛光设备包括箱体和传送辊；所述箱体内依次设有第一水洗区、第一酸洗区、氧化区、碱洗区、清洗区和第二酸洗区；

步骤(4)中，在所述氧化区对所述硅片进行处理；其中，所述氧化区内设有第二喷淋装置，所述第二喷淋装置在所述硅片的上方喷淋所述氧化液，以使硅片的正面接触氧化液，且硅片的背面不接触氧化液；其中，所述氧化液为O₃、HCl的混合溶液，其中，O₃的浓度为10～25ppm，HCl的浓度为1～5wt％；

步骤(6.1)中，在清洗区对所述硅片进行处理；其中，所述清洗区内设有第三喷淋装置，所述第三喷淋装置将所述清洗液喷淋至所述硅片的背面，以使硅片的背面接触清洗液，且硅片的正面不接触清洗液；所述清洗液为O₃、HCl的混合溶液，其中，O₃的浓度为10～25ppm，HCl的浓度为1～5wt％。

2.如权利要求1所述的单晶硅片背面抛光方法，其特征在于，步骤(2)中，在所述第一水洗区内对所述硅片进行处理；

其中，第一水洗区内设有第一喷淋装置，所述第一喷淋装置在硅片的上方喷淋水，以在硅片的正面形成水膜，且硅片的背面不形成水膜。

3.如权利要求1所述的单晶硅片背面抛光方法，其特征在于，步骤(3)中，在所述第一酸洗区内对所述硅片进行处理；

其中，所述第一酸洗区内设有第一酸液槽，位于第一酸洗区内的传送辊部分浸没于所述第一酸液槽中，以将第一酸液带出，与硅片的背面接触。

4.如权利要求1所述的单晶硅片背面抛光方法，其特征在于，步骤(5)中，在所述碱洗区对所述硅片进行处理；

其中，所述碱洗区内设有碱液槽，将所述硅片背面接触碱洗槽，以抛光所述硅片的背面；

其中，所述碱液为NaOH溶液或KOH溶液，其浓度为5～10wt％，其温度为65～75℃。

5.如权利要求1所述的单晶硅片背面抛光方法，其特征在于，步骤(6.2)中，在所述第二酸洗区对所述硅片进行处理；

其中，所述第二酸洗区设有第四喷淋装置，所述第四喷淋装置将所述第二酸液喷淋至所述硅片的正面，以使硅片的正面接触第二酸液，且硅片的背面不接触第二酸液。

6.一种硅片，其特征在于，其由权利要求1～5任一项所述的单晶硅片背面抛光方法抛光后得到。