[发明专利]掩模坯料用玻璃衬底

说明书

本发明涉及一种掩模坯料用玻璃衬底。具体提供了这样的掩模坯料用玻璃衬底，其在0.1μm^‑1以上且20μm^‑1以下的空间频率下的圆形平均功率谱密度的最大值为1,000nm⁴以下，用原子力显微镜观察10μm×10μm区域的表面形貌获得该最大值。

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C§119(a)，此非临时申请要求2020年6月9日在日本提交的专利申请2020-099745的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及掩模坯料用玻璃衬底，更具体涉及用于前沿应用的EUV光刻的掩模坯料用玻璃衬底。

背景技术

近年来，作为一种使用极紫外(EUV)光的曝光技术，EUV光刻法(以下简称为“EUVL”)已经引起人们的关注，以实现形成的精细图案超越使用紫外线的传统光学光刻法的精细图案。

EUV光是在具有约0.2至100nm波长的软X射线区域或真空紫外区域内具有波长段的光，并且期望反射掩模作为EUVL中使用的转印掩模。

要求用于反射掩模的衬底的表面具有极大降低的表面粗糙度、平坦度和微小缺陷的数量。

特别地，增加反射掩模中的EUV光的反射率对于改善EUVL曝光步骤中的生产量是重要的，并且为此目的，有必要减小反射掩模坯料衬底的表面粗糙度。

通常使用原子力显微镜来测量衬底的表面粗糙度。例如，非专利文献1报道了通过原子力显微镜在10-μm正方形区域内测量的衬底的表面粗糙度(RMS)与形成反射膜之后的EUV光的反射率彼此相关。

同时，专利文献1已报道了反射掩模衬底及其处理方法。反射掩模衬底具有通过使用原子力显微镜测量1μm×1μm区域获得的0.15nm以下的表面粗糙度(RMS)，和在1μm^-1以上且10μm^-1以下的空间频率下的10nm⁴以下的功率谱密度(PSD)。

专利文献2报道了一种衬底，其在1×10^-2μm^-1以上的空间频率下在0.14×0.1mm的范围内具有4×10⁶nm⁴以下的PSD和在1μm^-1的空间频率范围内在1-μm正方形中10nm⁴以下的PSD。

此外，专利文献3报道了一种掩模坯料用玻璃衬底，其中将表面轮廓的纵横比Str(s＝0.2)(ISO 025178-2)控制到0.30以上以促进存在于表面上的异物的去除。

引文清单

专利文件1：WO 2013/146990

专利文件2：WO 2014/104276

专利文献3：JP-A 2016-143791

非专利文献1：Noriaki Kandaka,Katsuhiko Murakami，PF NEWS Vol.26,No.1,P.24-25,2008

发明内容

然而，与X射线的衍射现象一样，EUV光的反射率也取决于表面粗糙度的空间周期，因此，在反射膜形成之后，仅通过用如非专利文献1的技术中的RMS管理表面粗糙度就不能总是获得高反射率。

在最近的研究中，与专利文献1和2中所报道的相比，在0.1μm^-1左右的较小空间频率下的PSD对反射率具有大的影响。已经发现，如果不精确地控制该范围内的PSD，则不能获得稳定的反射率。