[发明专利]一种芯片封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 202110633653.3 申请日: 2021-06-07
公开(公告)号: CN113380772B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 王全龙;曹立强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 薛异荣
地址: 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 结构 及其 方法
【说明书】:

发明提供一种芯片封装结构及其制备方法,芯片封装结构包括:基板、芯片、绝缘层、电容结构、以及封装层。本发明提供一种芯片封装结构及其封装方法,通过将电容结构封装于芯片的表面以及侧壁,将电容结构应用在封装中,进而可以提高芯片的集成度。本发明将所述第一电极层、所述第二电极层和所述电容介质层均沿着所述芯片背向所述基板的一侧表面和所述芯片的侧壁延伸。因此,所述第一电极层与所述第二电极层可以获得更大的相对面积,这可以提高电容的容量。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域,具体涉及一种芯片封装结构及其封装方法。

背景技术

在现今的电子产品中相当重要。电源完整性的层面包括:芯片层面、芯片封装层面、电路板层面及系统层面。目前在移动终端、高性能计算应用中,随着芯片工作电流增加,时钟频率增加,电源完整性越来越重要。

为了在封装层面解决电源完整性,提出了多种不同集成方案。目前电容结构单独设于电路板上,因此集成度较差;由于芯片的空间小,并且单独设置的电容结构占用空间有限,其并不能获得较大的电容量。

发明内容

因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有封装结构集成度低及电容量小的缺陷,从而提供一种芯片封装结构及其封装方法。

第一方面,本发明提供一种芯片封装结构,包括:基板;芯片,设于所述基板上;以及电容结构,所述电容结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层、以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的电容介质层;所述第一电极层、所述第二电极层和所述电容介质层均沿着所述芯片背向所述基板的一侧表面和所述芯片的侧壁延伸。

进一步地,所述电容结构为去耦电容;所述第一电极层接收电源信号,所述第二电极层接收接地信号;或所述第二电极层接收电源信号,所述第一电极层接收接地信号。

进一步地,所述基板包括重布线结构,所述重布线结构包括重布线层;所述第一电极层通过所述重布线层与所述芯片电连接;所述第二电极层通过所述重布线层与所述芯片电连接。

进一步地,所述的芯片封装结构还包括:绝缘层,覆盖所述芯片的侧壁和芯片背向基板一侧的表面,且延伸至所述芯片侧部的部分重布线结构表面,所述绝缘层位于所述电容结构与所述芯片之间;所述第一电极层位于所述绝缘层和所述电容介质层之间。

进一步地,所述第一电极层包括第一连接部,所述第一连接部位于芯片的侧部且与所述重布线结构相对设置;所述芯片封装结构还包括:第一连接件,所述第一连接件贯穿所述绝缘层且位于所述第一连接部的底部,所述第一连接件的一端连接所述第一连接部,所述第一连接件的另一端连接所述重布线层。

进一步地,所述第二电极层包括第二连接部,所述第二连接部位于所述芯片的侧部且与所述重布线结构相对设置;所述芯片封装结构还包括:第二连接件,所述第二连接件贯穿所述电容介质层和所述绝缘层且位于所述第二连接部的底部,所述第二连接件的一端连接所述第二连接部,所述第二连接件的另一端连接所述重布线层。

进一步地,所述的芯片封装结构还包括:焊球,设于所述重布线结构背向所述芯片的一侧。

进一步地,所述芯片通过所述重布线层连接所述焊球,所述焊球连接电源模块,所述电源模块用以输出电源信号至部分焊球,所述电源模块用以输出接地信号至部分焊球。

进一步地,所述芯片倒装在所述基板上。

另一方面,本发明提供一种封装方法,包括:制备基板;将芯片贴装在所述基板上;以及形成电容结构,形成电容结构的方法包括:形成第一电极层;形成第二电极层;在形成第一电极层的步骤和形成第二电极层的步骤之间,形成电容介质层,所述第一电极层、第二电极层和电容介质层均沿着所述芯片背向所述基板的一侧表面和所述芯片的侧壁延伸。

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