[发明专利]一种耐高温覆铜板及其加工工艺

说明书

本发明公开了一种耐高温覆铜板及其加工工艺，包括基底、基铜，所述基铜设置于基底的表面，所述基底原料包括以下组分：乙烯基对苯二甲酸、4‑丁氧基苯酚、改性聚二甲基硅氧烷。本发明通过对基底组分和制备工艺的设置，将乙烯基对苯二甲酸与4‑丁氧基苯酚在二环己基碳二亚胺、4‑二甲氨基吡啶作用下反应，得到具有乙烯基的酯化单体，与改性聚二甲基硅氧烷反应制得单体后进行聚合，制得液晶基底，使得所制基底较好的塑韧性，同时具有耐高温性能。

技术领域

本发明涉及覆铜板技术领域，具体为一种耐高温覆铜板及其加工工艺。

背景技术

随着各行各业的快速发展，其中的微电子产品趋向小型化，大规模集成电路尺寸缩小，电路的复杂化程度和信号的传递速度提高。而印刷电路板是电子产品中的重要组成部件，是其技术的体现。其中包含结构覆铜板，它由树脂基体和铜箔热压成型而构成基板，是制造印刷电路板的主要基础材料。而随着微电子工业的迅速发展，对基材覆铜板的要求越来越高，进而也对覆铜板用树脂基体提出更高的要求，需要兼具更好的耐热性。因此，我们提出一种耐高温覆铜板及其加工工艺。

发明内容

本发明的目的在于提供一种耐高温覆铜板及其加工工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种耐高温覆铜板，包括基底、基铜，所述基铜设置于基底的表面，所述基底原料包括以下组分：乙烯基对苯二甲酸、4-丁氧基苯酚、改性聚二甲基硅氧烷。

进一步的，所述改性聚二甲基硅氧烷原料包括以下组分：甲基三甲氧基硅烷、硼酸、端羟基聚二甲基硅氧烷。

进一步的，所述基底原料包括以下重量组分：19～24份乙烯基对苯二甲酸、16～20份4-丁氧基苯酚、20～30份改性聚二甲基硅氧烷。

进一步的，所述改性聚二甲基硅氧烷原料包括以下重量组分：13～16份甲基三甲氧基硅烷、1.5～6.2份硼酸、20～25份端羟基聚二甲基硅氧烷。

一种耐高温覆铜板的加工工艺，包括以下步骤：

(1)处理基铜：

取铜箔进行冷轧，退火；以氢气为气体介质，进行等离子体处理，制得基铜；

(2)制备基底：

取乙烯基对苯二甲酸加入二氯甲烷，混合均匀，加入4-丁氧基苯酚、二环己基碳二亚胺、4-二甲氨基吡啶，充分反应，得到酯化单体；

取甲基三甲氧基硅烷，加入无水乙醇、硼酸，充分混合，搅拌，加入硝酸，继续搅拌，取产物干燥；与端羟基聚二甲基硅氧烷共混，加入催化剂氢氧化钠充分反应，制得改性聚二甲基硅氧烷；

取酯化单体加入甲苯、铂催化剂，在氮气氛围中，加入改性聚二甲基硅氧烷，充分反应，制得单体；

取单体干燥，在氮气氛围中，加入引发剂偶氮二异丁腈的四氢呋喃溶液，升温反应，加入甲醇，取沉淀物真空干燥；研磨制粉，覆盖于基铜表面，加热熔融，热压，冷却，制得覆铜板。

进一步的，所述步骤(1)包括以下步骤：

取铜箔进行冷轧，变形量为75～85％，置于200～300℃温度下进行退火，重复上述冷轧、退火步骤3～5次；以氢气为气体介质，等离子体处理10～30min，制得基铜。

在上述技术方案中，利用多次冷轧、退火工艺，细化铜箔晶粒，促进晶粒的均匀性分布，有效控制晶粒尺寸，同时提高特殊晶界的含量，提高晶界的整体稳定性，避免异常晶界的出现，低能特殊晶界的出现，促进电子的有效传输，提高所制覆铜板的导电性；冷轧、退火后利用等离子体对铜箔进行表面处理，提高表面附着力，其中等离子体处理以氢气为气体介质，能够在不改变铜箔整体性能的同时，使其具有较好的表面处理效果。

进一步的，所述步骤(2)包括以下步骤：