[发明专利]一种微型器件转移装置及转移方法

说明书

本发明公开一种微型器件转移装置及转移方法，主题一包括控制模块、供给基板和转移头，所述供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。本发明通过转动供给基板使得若干列转移头上的微型器件依次与接收基板相接触，并利用控制模块控制若干列转移头依次释放微型器件，使得若干列转移头上的微型器件依次转移，由于采用分批分列的方式转移微型器件，从而有效提高微型器件巨量转移方式的转移良率，提高微型器件的生成效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型器件转移装置及转移方法。

背景技术

目前微发光二极管的巨量转移技术主要分为印章式转移、激光转移、流体自组装和滚轮转印等。其中印章式需要有专用转移头，实现微发光二极管的拾取和转移，这些转移头可以利用范德华力、磁力、静电吸附或者真空吸附等原理。激光转移利用特定波长的激光照射牺牲层，实现为微发光二极管与蓝宝石衬底的剥离，从而实现转移。流体自组装利用流体的拖拽力，将微发光二极管转移到背板上。滚轮转印使用软的滚轮印章将微发光二极管和薄膜晶体管(简称TFT)从晶圆上进行三次转移，能够实现在柔性基底上构建微发光二极管阵列。

印章式转移方式可以实现巨量的微发光二极管转移，这种方式的核心在于转移机构与转移头的设计。目前印章式巨量转移方式一般将转移头分布在平面型衬底上，通过将平面型衬底与微发光二极管接收供给基板对齐后，再释放电磁力或者范德华力，实现转移头衬底上全部微发光二极管的转移。然而，由于在印章巨量转移中一次转移的微发光二极管数量庞大(百万级别)，而且现有平面型衬底印章存在压力不均匀等问题，因此现有印章式巨量转移方式的转移良率无法提高，限制了微发光二极管组装技术的发展。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种微型器件转移装置及转移方法，旨在解决现有印章式巨量转移方式的转移良率无法提高的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种微型器件转移装置，包括控制模块、供给基板和转移头，所述供给基板的第一侧面设有若干列转移头，所述供给基板的第一侧面为朝所述供给基板方向弯曲的曲面，所述控制模块用于控制所述若干列转移头吸附和释放微型器件而转移微型器件。

可选地，所述供给基板与第一侧面相对向的侧面为第二侧面，所述第二侧面为与所述第一侧面弯曲方向相同的曲面。

可选地，所述曲面为弧形曲面。

可选地，所述控制模块用于控制所述若干列转移头以列为单位依次释放微型器件。

可选地，所述供给基板与所述转移头之间设有柔性安装层，所述柔性安装层固定设置在所述供给基板的一侧面上，所述若干列转移头设在所述柔性安装层远离所述供给基板的侧面上。

可选地，所述每列转移头包括若干个转移头。

可选地，所述柔性安装层为聚氯乙烯层或聚酰亚胺层或聚二甲基硅氧烷层。

可选地，所述控制模块的数量为若干个且与所述转移头的列数相等，每个控制模块控制一列转移头。

可选地，所述转移头为静电转移头或磁场转移头或范德华力转移头。

可选地，所述静电转移头包括第一介电层、第二介电层、第一电极和第二电极，所述供给基板的一侧面设有相间隔的第一凸起和第二凸起，所述第一介电层固定在所述第一凸起上，所述第二介电层固定在所述第二凸起上，所述第一电极设在所述第一介电层上，所述第二电极设在所述第二介电层上。

可选地，所述磁场转移头包括磁芯以及缠绕在磁芯上的线圈，所述磁芯固定在所述供给基板的一侧面上。

可选地，所述控制模块为继电器。

本发明还提出一种基于上述微型器件转移装置的转移方法，包括以下步骤：