[发明专利]一种磁电阻模块及磁传感器

说明书

本发明涉及磁电阻模块及磁传感器，包括：第一焊盘区、第二焊盘区以及位于第一焊盘区和第二焊盘区中间的电阻区，其中，电阻区包括第一组磁隧道结阵列和第二组磁隧道结阵列，第一组磁隧道结阵列的磁隧道结数量与第二组磁隧结阵列的磁隧道结数量相等。本发明通过将包含有磁隧道结的电阻区设置在焊盘区中间，并且半桥的第一组磁隧道结阵列和第二组磁隧道结阵列的磁隧道结数量保持相等，位置集中在磁电阻模块的中间位置，从而保证磁电阻模块的磁电阻的一致性，提高了电桥的性能；同时，由于采用集中设置磁隧道结的方式，使得磁电阻模块整体上加工面积较小，充分减少空间的占用，缩小磁电阻模块的体积和尺寸。

技术领域

本发明涉及电磁技术领域，具体涉及一种磁电阻模块及磁传感器。

背景技术

磁电阻的应用非常广泛，当应用于磁传感器中时，磁电阻一般以半桥或者全桥的方式应用。在实际应用中，用于磁传感器中的磁电阻模块一般以半桥或者全桥的形式使用，在半桥/全桥的设计中，每个桥臂包括串联和/或并联的多个磁隧道结(MTJ)元件。磁电阻模块在生产制造的过程中，通常需要考虑到电桥性能、制造成本以及加工难度等问题。

例如，现有技术中，由于受到电路布局以及制造工艺的影响，很难实现对应桥臂的电阻值相等，这将导致电桥中磁电阻的一致性降低，从而导致电桥的性能降低，甚至无法工作；另一方面，磁电阻模块在加工过程中，由于加工磁电阻的面积大，导致生产成本高，进而导致在晶圆制造流程中产能较低，从而提高了制造成本。

发明内容

因此，本发明要解决的现有技术中磁电阻模块的磁电阻一致性差导致电桥性能降低的问题，从而提供一种磁电阻模块，包括：第一焊盘区、第二焊盘区以及位于所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中间的电阻区，其中，所述电阻区包括第一组磁隧道结阵列和第二组磁隧道结阵列，所述第一组磁隧道结阵列的磁隧道结数量与所述第二组磁隧结阵列的磁隧道结数量相等；所述第一焊盘区包括：第一焊盘，与所述第一磁隧道结阵列的一端电连接；第二焊盘，与所述第二磁隧道结阵列的一端电连接；所述第二焊盘区包括：第三焊盘，与所述第一组磁隧道结阵列的另一端电连接；第四焊盘，与所述第二组磁隧道结阵列的另一端电连接。

可选地，所述第一组磁隧道结阵列和所述第二组磁隧道结阵列均包含N个磁隧道结阵列，并且并列交错排布，N大于等于2。

可选地，所述第一组磁隧道结阵列中的任意一个磁隧道结阵列与所述第一组磁隧道结阵列中其它磁隧道结阵列中包含的磁隧道结数量相差小于等于1，与相邻的所述第二组磁隧道结阵列中的任意磁隧道结阵列的磁隧道结数量相差小于等于1。

可选地，所述第一组磁隧道结阵列包括靠近所述第一焊盘区的第一磁隧道结阵列和靠近所述第二焊盘区的第二磁隧道结阵列；

所述第二组磁隧道结阵列包括靠近所述第一焊盘区的第三磁隧道结阵列和靠近所述第二焊盘区的第四磁隧道结阵列；

其中，所述第三磁隧道结阵列与所述第一磁隧道结阵列相邻，并位于所述第一磁隧道结阵列远离所述第一焊盘区的一侧；所述第四磁隧道结阵列与所述第二磁隧道结阵列相邻，并位于所述第二磁隧道结阵列与所述第二焊盘区之间；所述第一磁隧道结阵列的磁隧道结数量比所述第三磁隧道结阵列的磁隧道结数量少1个，其他对应的磁隧道结位置相邻设置，所述第四磁隧道结阵列的磁隧道结数量比所述第二磁隧道结阵列的磁隧道结数量少1个，其他对应的磁隧道结位置相邻设置。

可选地，所述第一焊盘和所述第二焊盘均为矩形，所述第一焊盘比所述第二焊盘长，所述第一焊盘长出的部位与所述第一磁隧道结阵列的上端连接；所述第三焊盘位于所述第二焊盘区的上半区，所述第四焊盘位于所述第二焊盘区的下半区，所述第四焊盘与所述第四磁隧道结阵列的下端连接；所述第三磁隧道结阵列中多出的磁隧道结与所述第二焊盘连接，所述第二磁隧道结阵列多出的磁隧道结与所述第三焊盘连接。