[发明专利]一种磁电阻模块及磁传感器有效
申请号: | 202110624924.9 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN113358137B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 涂恩平;韩荷福;王连伟 | 申请(专利权)人: | 蚌埠希磁科技有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 项凯 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠市经开区财院路10号,财院*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁电 模块 传感器 | ||
1.一种磁电阻模块,其特征在于,包括:第一焊盘区、第二焊盘区以及位于所述第一焊盘区和所述第二焊盘区中间的电阻区,其中,
所述电阻区包括第一组磁隧道结阵列和第二组磁隧道结阵列,所述第一组磁隧道结阵列的磁隧道结数量与所述第二组磁隧结阵列的磁隧道结数量相等;
所述第一焊盘区包括:第一焊盘,与所述第一组磁隧道结阵列的一端电连接;第二焊盘,与所述第二组磁隧道结阵列的一端电连接;
所述第二焊盘区包括:第三焊盘,与所述第一组磁隧道结阵列的另一端电连接;第四焊盘,与所述第二组磁隧道结阵列的另一端电连接;
所述第一组磁隧道结阵列包括靠近所述第一焊盘区的第一磁隧道结阵列和靠近所述第二焊盘区的第二磁隧道结阵列;
所述第二组磁隧道结阵列包括靠近所述第一焊盘区的第三磁隧道结阵列和靠近所述第二焊盘区的第四磁隧道结阵列;
其中,所述第三磁隧道结阵列与所述第一磁隧道结阵列相邻,并位于所述第一磁隧道结阵列远离所述第一焊盘区的一侧;所述第四磁隧道结阵列与所述第二磁隧道结阵列相邻,并位于所述第二磁隧道结阵列与所述第二焊盘区之间;所述第一磁隧道结阵列的磁隧道结数量比所述第三磁隧道结阵列的磁隧道结数量少1个,其他对应的磁隧道结位置相邻设置,所述第四磁隧道结阵列的磁隧道结数量比所述第二磁隧道结阵列的磁隧道结数量少1个,其他对应的磁隧道结位置相邻设置。
2.如权利要求1所述的磁电阻模块,其特征在于,所述第一组磁隧道结阵列和所述第二组磁隧道结阵列中的磁隧道结阵列并列交错排布。
3.如权利要求1所述的磁电阻模块,其特征在于,所述第一焊盘和所述第二焊盘均为矩形,所述第一焊盘比所述第二焊盘长,所述第一焊盘长出的部位与所述第一磁隧道结阵列的上端连接;所述第三焊盘位于所述第二焊盘区的上半区,所述第四焊盘位于所述第二焊盘区的下半区,所述第四焊盘与所述第四磁隧道结阵列的下端连接;所述第三磁隧道结阵列中多出的磁隧道结与所述第二焊盘连接,所述第二磁隧道结阵列多出的磁隧道结与所述第三焊盘连接。
4.如权利要求1所述的磁电阻模块,其特征在于,用于连接所述第一组磁隧道结阵列的阵列间导线和焊盘导线以及用于连接所述第二组磁隧道结阵列的阵列间导线和焊盘导线,分别布设在所述电阻区的上端边界和下端边界处以及所述第一磁隧道结阵列和所述第四磁隧道结阵列少出的磁隧道结的空隙处。
5.如权利要求1所述的磁电阻模块,其特征在于,所述第一组磁隧道结阵列包含的磁隧道结通过上导线层或下导线层串联,所述第二组磁隧道结阵列包含的磁隧道结通过上导线层或下导线层串联。
6.如权利要求1所述的磁电阻模块,其特征在于,所述磁隧道结的形状为矩形或者椭圆形。
7.一种磁传感器,其特征在于,包括如权利要求1-6任一所述的磁电阻模块。
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