[发明专利]提高亮度的发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.一种提高亮度的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却，

所述生长多量子阱层依次包括：生长MQWs1、生长MQWs2和生长MQWs3；其中，

所述生长MQWs1包括依次生长InGaN-1阱层和InGaN-2阱层，具体为：

保持反应腔压力300-400mbar，反应腔温度为T₁，通入NH₃、TMGa以及TMIn，生长厚度为D₁的InGaN-1阱层；

反应腔压力保持不变，升高反应腔温度至T₂，通入NH₃、TMGa以及TMIn，在所述InGaN-1阱层上面生长厚度为D₂的InGaN-2阱层，其中，T₂＞T₁，T₁和T₂的范围在860-940℃之间；

所述生长MQWs2包括生长P型AlGaN/GaN高势垒结构层，具体为：

反应腔压力保持不变，反应腔温度控制降低至750-800℃，通入NH₃、TMGa、Cp₂Mg、H₂以及TMAl，在所述InGaN-2阱层上面生长厚度为D₃的AlGaN层；

反应腔压力温度保持不变，通入NH₃、TMGa及N₂，在所述AlGaN层上面生长厚度为D₄的GaN层；

所述生长MQWs3包括溅射SiO₂/Al₂O₃薄膜以及生长GaN垒层，具体为：

将已生长所述P型AlGaN/GaN高势垒结构层的芯片从MOCVD反应腔中取出，利用PECVD方法在所述P型AlGaN/GaN高势垒结构层上面沉积厚度为D₅的SiO₂层；

将已沉积所述SiO₂层的芯片从反应腔中取出，再利用磁控溅射方法在所述SiO₂层上面溅射厚度为D₆的Al₂O₃薄膜层；

将已溅射好Al₂O₃薄膜层的芯片从反应腔中取出，再利用MOCVD方法在所述Al₂O₃薄膜层上面生长厚度为D₇的GaN垒层，其中，D₅、D₆和D₇的范围在3-6nm之间；

其中，D₁+D₂＝1.2(D₅+D₆+D₇)，D₃+D₄＝1.1(D₅+D₆+D₇)；

周期性依次进行生长MQWs1、生长MQWs2以及生长MQWs3的步骤，周期数为2-12个。

2.根据权利要求1所述的提高亮度的发光二极管芯片制作方法，其特征在于，在1000-1100℃的温度下，通入100-130L/min的H₂，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底5-10min。