[发明专利]一种芯片修调电路及修调方法有效
| 申请号: | 202110623163.5 | 申请日: | 2021-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN113189477B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 深圳利普芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/74 |
| 代理公司: | 成都立新致创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51277 | 代理人: | 谭德兵 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 电路 方法 | ||
1.一种芯片修调电路,其特征在于,包括:
1个修调引线端,作为芯片的修调PAD用于输入修调电压;
n+1个控制单元,在使能信号的控制下,输出修调控制指令C0[n:0]或C0[n:1];
1个或多个使能单元,当所述修调电压达到阈值后,输出所述使能信号至控制单元;
n+1个修调单元,共接同一个所述修调引线端,根据所述修调控制指令C0[n:0]执行熔断或不熔断修调熔丝的操作;
n+1个熔丝检测电路,用于检测所述修调熔丝的熔断状态并输出对应的修调熔丝检测信号TRIMOUT[n:0];
修调结束后,使能信号翻转,所述C0[n:0]或C0[n:1]输出某一固定状态,修调单元始终执行不熔断修调熔丝的操作。
2.根据权利要求1所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述控制单元包括控制开关和输出通道1;
所述输出通道1用于接收C[n:0]或C[n:1],并对应的输出修调控制指令C0[n:0]或C0[n:1]至修调单元;
所述控制开关受控于所述使能信号,控制开关控制所述输出通道1的断开和闭合,输出通道1闭合输出对应的修调控制指令C0[n:0]或C0[n:1]至修调单元;
输出通道1断开,C0[n:0]或C0[n:1]输出某一固定状态,使得修调熔丝始终与修调PAD处于断开状态。
3.根据权利要求2所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述使能单元包括比较模块、使能信号输出模块以及使能开关;
所述使能信号输出模块通过所述使能开关与所述控制单元连接;
所述比较模块用于修调电压和阈值的比较,比较模块的输出信号用于控制所述使能开关的闭合和断开;
使能开关闭合,使能信号输出至所述控制单元。
4.根据权利要求3所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述使能信号输出模块包括:
寄存器,用于输出使能信号至所述控制单元;
或;
输出通道2,用于接收某一固定修调熔丝的修调熔丝检测信号TRIMOUT[0]并传输至所述控制单元。
5.根据权利要求3所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述修调单元包括修调开关和修调熔丝,所述修调开关连接在修调熔丝和修调引线端之间;
所述修调开关受控于所述修调控制指令C0[n:0],修调开关闭合对应的修调熔丝熔断,修调开关断开对应的修调熔丝不熔断。
6.根据权利要求4所述的一种芯片修调电路,其特征在于,还包括一个偏置电路,所述偏置电路包括由零号MOS管和一号MOS管组成的第一电流镜,所述一号MOS管漏极接一个二号MOS管,所述零号MOS管和一号MOS管的源极分别通过一个配置修调熔丝接地;
所述熔丝检测电路还包括:
与二号MOS管形成第二电流镜的三号MOS管;
与一号MOS管形成第三电流镜的四号MOS管;
二号MOS管和三号MOS管的源极接电源端,四号MOS管的源极接与所述修调熔丝连接,所述三号MOS管和四号MOS管共漏极连接,三号MOS管和四号MOS管的漏极电压作为修调熔丝的检测电压V0;
所述检测电压V0输入输出通道3,检测电压V0经输出通道3后输出,作为修调熔丝检测信号TRIMOUT[n:0]。
7.根据权利要求5所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述控制开关、使能开关、修调开关均由MOS管组成。
8.根据权利要求6所述的一种芯片修调电路,其特征在于,所述输出通道1、输出通道2、输出通道3主要由反相器、传输门、施密特触发器中的一个或多个组成。
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