[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。该阵列基板包括：基板；第一栅极绝缘层，位于基板的一侧；第二栅极绝缘层，位于第一栅极绝缘层远离基板的一侧，第一半导体层和栅极层，第一半导体层位于第一栅极绝缘层靠近基板的一侧，栅极层位于第二栅极绝缘层远离基板的一侧；或，第一半导体层位于第二栅极绝缘层远离基板的一侧，栅极层位于第一栅极绝缘层靠近基板的一侧，第二半导体层，位于第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间。本发明实施例提供的技术方案通过设置双层栅极绝缘层的形式，能够大大缩减第一半导体层与第二半导体层之间距离，在阵列基板上形成薄膜晶体管的过程中，能够节省掩膜版工艺的数量，有利于降低生产成本。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的快速发展，使得显示装置呈现高集成度和低成本的趋势发展。

低温多晶氧化物(Low Temperature Poly-Oxide，LTPO)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术，但是目前LTPO技术工艺比较复杂，构图工艺次数较多，不利于降低阵列基板的生产成本。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以简化阵列基板的构图工艺，从而降低阵列基板的生产成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

基板；

第一栅极绝缘层，位于所述基板的一侧；

第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第一栅极绝缘层接触；

第一半导体层和栅极层，所述第一半导体层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层，所述栅极层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第二栅极绝缘层接触；或者，

所述第一半导体层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述栅极层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述栅极层；

第二半导体层，位于所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间，且所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料不同。

可选地，所述第一半导体层的材料包括多晶硅，所述第二半导体层的材料包括金属氧化物，所述第一半导体层包括第一有源层，所述第二半导体层包括第二有源层，所述第一有源层在所述基板的正投影与所述第二有源层在所述基板上的正投影不存在交叠。

可选地，当所述第一半导体层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层，所述栅极层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第二栅极绝缘层接触时；

所述阵列基板还包括：

第一层间绝缘层；位于所述栅极层远离所述基板的一侧，并覆盖所述栅极层；

源漏极层，位于所述第一层间绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏极层包括第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一源漏极层和所述第二源漏极层同层设置；

所述第一源漏极层通过贯穿所述第一层间绝缘层的第一过孔与所述第一半导体层接触；所述第二源漏极层通过贯穿所述第一层间绝缘层的第二过孔与所述第二半导体层接触。

可选地，所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层同层设置；所述第一栅极层在所述基板上的正投影落入所述第一半导体层在所述基板上的正投影，所述第二栅极层在所述基板上的正投影落入所述第二半导体层在所述基板上的正投影。