[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一栅极绝缘层，位于所述基板的一侧；

第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第一栅极绝缘层接触；

第一半导体层和栅极层，所述第一半导体层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层，所述栅极层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第二栅极绝缘层接触；或者，

所述第一半导体层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述栅极层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述栅极层；

第二半导体层，位于所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间，且所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料不同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括多晶硅，所述第二半导体层的材料包括金属氧化物，所述第一半导体层包括第一有源层，所述第二半导体层包括第二有源层，所述第一有源层在所述基板的正投影与所述第二有源层在所述基板上的正投影不存在交叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一半导体层位于所述第一栅极绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层，所述栅极层位于所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧，并与所述第二栅极绝缘层接触时；

所述阵列基板还包括：

第一层间绝缘层；位于所述栅极层远离所述基板的一侧，并覆盖所述栅极层；

源漏极层，位于所述第一层间绝缘层远离所述基板的一侧，所述源漏极层包括第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一源漏极层和所述第二源漏极层同层设置；

所述第一源漏极层通过贯穿所述第一层间绝缘层的第一过孔与所述第一半导体层接触；所述第二源漏极层通过贯穿所述第一层间绝缘层的第二过孔与所述第二半导体层接触。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层与所述第二栅极层同层设置；所述第一栅极层在所述基板上的正投影落入所述第一半导体层在所述基板上的正投影，所述第二栅极层在所述基板上的正投影落入所述第二半导体层在所述基板上的正投影。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括电容电极层，所述电容电极层包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二栅极层共用，所述第二电极层位于所述第一层间绝缘层远离所述基板的一侧，并与源漏极层同层设置。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层在所述基板上的正投影覆盖所述第二电极层在所述基板上的正投影。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二层间绝缘层、第三层间绝缘层、平坦化层和多个连接电极层；

所述第二层间绝缘层位于所述源漏极层远离所述基板的一侧，所述连接电极层位于所述第二层间绝缘层远离所述基板的一侧，多个所述连接电极层同层设置，每一所述连接电极层均通过贯穿所述第二层间绝缘层的第三过孔分别与所述第一源漏极层和第二源漏极层接触；

所述第三层间绝缘层和平坦化层依次叠层设置在所述连接电极层远离所述基板的一侧。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的一侧形成第一半导体层；

所述第一半导体层远离所述基板的一侧依次形成第一栅极绝缘层和第二半导体层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一半导体层；

在所述第一栅极绝缘层远离所述基板一侧形成第二栅极绝缘层，且所述第二栅极绝缘层与所述第一栅极绝缘层接触，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二半导体层；

在所述第二栅极绝缘层远离所述基板的一侧形成栅极层，所述栅极层与所述第二栅极绝缘层接触。