[发明专利]一种多种保护的DCDC使能电路

说明书

本发明公开了一种多种保护的DCDC使能电路，包括欠压关闭电路、过压钳位电路、DCDC打开电路、短路保护触发电路、DCDC模块、充电开关电路、单片机MCU、输入Vin、3.3V电源，本发明具备深度欠压关闭和短路保护功能，深度欠压具有低功耗的优点；本发明具备过压钳位功能；本发明具备输入短路保护功能和MCU告警功能，本发明使用了高端的MOS管Q5、MOS管Q6进行开关和快速充放电的实现，内阻小，过电流能力大，所以承受的应力大，不容易损坏，当MOS管Q5损坏,MOS管Q6也能保持功能。驱动采用光耦隔离使能，大大提高了安全性。

技术领域

本发明涉及一种多种保护的DCDC使能电路。

背景技术

现有一般的DCDC都使用P管作为高端开关，高压信号管信号少，价格贵，一般输入端加限流电阻来限制输入电容的冲击，影响了电容的快速充放电，且不具有深度欠压保护功能，承受的应力小，容易被损坏。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足，提供一种多种保护的DCDC使能电路。

为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种多种保护的DCDC使能电路，包括欠压关闭电路、过压钳位电路、DCDC打开电路、短路保护触发电路、DCDC模块、充电开关电路、单片机MCU、输入Vin、3.3V电源，所述欠压关闭电路、过压钳位电路、DCDC打开电路、短路保护触发电路、DCDC模块都与充电开关电路连接，所述欠压关闭电路、短路保护触发电路、过压钳位电路都连接DCDC打开电路，所述短路保护触发电路连接DCDC模块，所述DCDC打开电路、DCDC模块都连接单片机MCU，所述充电开关电路连接输入Vin，所述欠压关闭电路、DCDC打开电路都连接3.3V电源。

作为优选，欠压关闭电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1、MOS管Q2，所述电阻R1的一端连接充电开关电路，所述电阻R1的另一端通过电阻R2连接电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端连接地信号GND，所述电阻R3的一端连接三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极连接地信号GND，所述三极管Q1的集电极通过电阻R4连接3.3V电源，所述MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管Q2的S极连接地信号GND，所述MOS管Q2的G极连接DCDC打开电路。

作为优选，MOS管Q2为N沟道MOS管，所述三极管Q1为NPN三极管。

作为优选，过压钳位电路包括电阻R8、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2，所述电阻R8的一端连接充电开关电路，所述电阻R8的另一端连接DCDC打开电路，所述电阻R8的另一端通过稳压二极管ZD1连接稳压二极管ZD2的负极，所述稳压二极管ZD2的正极连接地信号GND。

作为优选，DCDC打开电路包括光耦G1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、三极管Q3，所述光耦G1的2管脚连接地信号GND，所述光耦G1的1管脚连接欠压关闭电路，所述光耦G1的4管脚连接过压钳位电路，所述光耦G1的3管脚连接充电开关电路，所述光耦G1的1管脚通过电阻R6连接电阻R7的一端，所述电阻R7的一端连接短路保护触发电路，所述电阻R7的另一端连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的发射极连接3.3V电源，所述三极管Q3的基极通过电阻R5连接单片机MCU，所述电阻R7的一端连接单片机MCU。

作为优选，三极管Q3为PNP三极管。

作为优选，短路保护触发电路包括三极管Q4、二极管D2、电阻R12，所述三极管Q4的集电极连接DCDC模块和充电开关电路，所述三极管Q4的发射极连接DCDC打开电路，所述三极管Q4的基极通过二极管D2连接电阻R12的一端，所述电阻R12的另一端连接三极管Q4的集电极。

作为优选，三极管Q4为PNP三极管。